Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60

Descripción: 

Los transistores MOSFET de potencia canal N de la serie 2N60 a 20N60 son dispositivos semiconductores diseñados para manejar altas tensiones y corrientes, ideales para aplicaciones de conmutación y amplificación en electrónica de potencia.

Características: 

El número antes de la "N" representa la corriente máxima en amperios.

El número después de la "N" indica el voltaje máximo en drenaje a fuente (Vds) en centenas de voltios.

Tipo de MOSFET: Canal N.

Tensión de Drenaje a Fuente (Vds): 600V (para todos los modelos).

Corriente de Drenaje (Id): Varía según el modelo:

2N60: 2A

4N60: 4A

5N60: 5A

10N60: 10A

12N60: 12A

20N60: 20A

Resistencia de encendido (Rds(on)): Baja, para minimizar las pérdidas.

Frecuencia de conmutación: Ideal para aplicaciones de alta frecuencia.

Diseño robusto: Alta capacidad de disipación de calor y resistencia a picos de corriente.