Descripción:
Los transistores MOSFET de potencia canal N de la serie 2N60 a 20N60 son dispositivos semiconductores diseñados para manejar altas tensiones y corrientes, ideales para aplicaciones de conmutación y amplificación en electrónica de potencia.
Características:
El número antes de la "N" representa la corriente máxima en amperios.
El número después de la "N" indica el voltaje máximo en drenaje a fuente (Vds) en centenas de voltios.
Tipo de MOSFET: Canal N.
Tensión de Drenaje a Fuente (Vds): 600V (para todos los modelos).
Corriente de Drenaje (Id): Varía según el modelo:
2N60: 2A
4N60: 4A
5N60: 5A
10N60: 10A
12N60: 12A
20N60: 20A
Resistencia de encendido (Rds(on)): Baja, para minimizar las pérdidas.
Frecuencia de conmutación: Ideal para aplicaciones de alta frecuencia.
Diseño robusto: Alta capacidad de disipación de calor y resistencia a picos de corriente.
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
capacitores Ceramicos 630V ( elegir dos valores) entre 0.007uf y 0.47uf
Escoger 1 valor
Fusible 250 V, 0,1 A, 0,25 A, 0,2 A, 0,5 A, 1 A, 1,5 A, 2A, 3A, 4A, 5A, 8A, 10A, 12A, 15A, 20A, 15A, 20A
Fusible de Vidrio de Soplado Rápido 250 V, 0,5 A, 1 A, 2A, 3A, 4A, 5A, 6 A, 7A, 8A, 10A, 15A, 20A.
Escoger un valor:
Diodo rectificador ultra fast recovery MUR3060PT 600V 30A TO-247 TO-3P
Resistencias de Filamento de Carbón 2W 1 Valor (5 Unidades)
Fusible Ceramico 0.1-30A 250V 5X20 MM (1U)
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
