Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A

Descripción:

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño de dispositivo reforzado por el que son bien conocidos los HEXFET PowerMOSFET, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales en niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.

Escpecificaciones:

Disipación total del dispositivo (Pd): 56 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 55 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 10 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 C

Carga de compuerta (Qg): 23.3 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB