Descripción:
Transistor mosfet IRF1404 Tipo T de potencia HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175 ° C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.
Características:
175 ° C Temperatura de trabajo
Valor dinámico dV / dt
Totalmente avalancha
Automotriz calificado
Aplicaciones: Administración de potencia, automoción
Información Básica
Polaridad del transistor: Canal N
Voltaje de drenaje a fuente VDS: 40 V
Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 162 A
Corriente de drenaje pulsada IDP: 650 A
Corriente de avalancha IAR: 95 A
Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 200 W
Resistencia de activación RDS(on): 0.004 Ohms
Temperatura de operación mínima: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-220
Número de pines: 3
Incluye:
1 x Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
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Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
