Descripción:
El "Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086" es un dispositivo semiconductor utilizado en aplicaciones de potencia, especialmente en sistemas de control de motores, inversores de frecuencia, fuentes de alimentación conmutadas y otras aplicaciones de electrónica de potencia.
Características:
Tipo de transistor: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Los IGBTs combinan la eficiencia y la velocidad de los transistores de efecto de campo (FET) con la capacidad de manejo de corriente de los transistores bipolares.
Tensión máxima entre colector y emisor (Vce): 300V. Esta es la tensión máxima que puede soportar el dispositivo mientras está en operación.
Corriente máxima de colector (Ic): 70A. Indica la corriente máxima que puede conducir el dispositivo.
Encapsulado: TO-247. Este es un tipo común de encapsulado para dispositivos de potencia, que proporciona una buena disipación de calor.
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Cable de carga y datos USB a USB-C 1M 6A 66W
Removedor de pegamento eléctrico BK-R12
Fuente de Alimentación Variable 30V 5A WANPTEK DPS305U
1 x Potenciómetro de un valor a escoger 1k, 2k, 5k, 10k, 20k, 50k, 100k, 250k, 500k, 1M Ohm
Kit de 12 bases con tornillos y tuercas M3
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Cuchilla de mantenimiento integrada HZY-H505
Sensor de temperatura termistor NTC MF5A-3 10K 3950 (5U)
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
