Descripción:
El "Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086" es un dispositivo semiconductor utilizado en aplicaciones de potencia, especialmente en sistemas de control de motores, inversores de frecuencia, fuentes de alimentación conmutadas y otras aplicaciones de electrónica de potencia.
Características:
Tipo de transistor: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Los IGBTs combinan la eficiencia y la velocidad de los transistores de efecto de campo (FET) con la capacidad de manejo de corriente de los transistores bipolares.
Tensión máxima entre colector y emisor (Vce): 300V. Esta es la tensión máxima que puede soportar el dispositivo mientras está en operación.
Corriente máxima de colector (Ic): 70A. Indica la corriente máxima que puede conducir el dispositivo.
Encapsulado: TO-247. Este es un tipo común de encapsulado para dispositivos de potencia, que proporciona una buena disipación de calor.
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Set de 250 Capacitores Ceramicos menores a 25V 25 valores 1pf - 100nf
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Triac de 8 A y 600 V, corriente pico no repetitiva: 65 A, compuerta de alta sensibilidad
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Fuente de Alimentación Variable 30V 5A WANPTEK DPS305U
Tiristor de disparo DB3 Diac Bilateral Diodo DB-3 DO-35
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
