Descripción:
El IRF530 es un transistor MOSFET de potencia por sus siglas en inglés “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, tiene un canal tipo N, 3 pines y un encapsulado TO-220, con capacidad de manejar energía de 100V y 14A.
El IRF530 es ampliamente utilizado para el control o amplificación de potencia, como interruptor electrónico en circuitos de conmutación de potencia, como controlador de velocidad de motores DC y motores a pasos, como regulador de tensión y más. Puedes
Características:
Tipo: MOSFET de canal N.
Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): 100V.
Corriente máxima de drenaje (Id): 14A (a 25 °C).
Potencia máxima disipada (Pd): 88W.
Voltaje de compuerta (Vgs): Hasta ±20V.
Resistencia en estado de encendido (Rds(on)): 0.16 Ω (máximo, típico a Vgs = 10V).
Encapsulado: TO-220, compatible con disipadores de calor.
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Condensador electrolítico 0.1-1000uF
Paquete de 5 Capacitor 1 valor
Resistencias 1 valor 1/2W, 5% (10 unidades)
Set de 10 unidades de diodos LED 5mm
Set de 5 capacitores ceramicos menores a 25V 1 valor (5U)
1 x Potenciómetro de un valor a escoger 1k, 2k, 5k, 10k, 20k, 50k, 100k, 250k, 500k, 1M Ohm
Prototipo de Doble Cara PCB Protoboard Estañado Universal Breadboard 7x9cm DIY
NE555P IC 555 TEXAS INSTRUMENTS DIP-8 Timer Chip NE555
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
