Descripción:
El IRF530 es un transistor MOSFET de potencia por sus siglas en inglés “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, tiene un canal tipo N, 3 pines y un encapsulado TO-220, con capacidad de manejar energía de 100V y 14A.
El IRF530 es ampliamente utilizado para el control o amplificación de potencia, como interruptor electrónico en circuitos de conmutación de potencia, como controlador de velocidad de motores DC y motores a pasos, como regulador de tensión y más. Puedes
Características:
Tipo: MOSFET de canal N.
Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): 100V.
Corriente máxima de drenaje (Id): 14A (a 25 °C).
Potencia máxima disipada (Pd): 88W.
Voltaje de compuerta (Vgs): Hasta ±20V.
Resistencia en estado de encendido (Rds(on)): 0.16 Ω (máximo, típico a Vgs = 10V).
Encapsulado: TO-220, compatible con disipadores de calor.
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
