Caracteristicas:
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 400 V
Id - Corriente de drenaje continua: 10 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 550 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
Qg - Carga de puerta: 63 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp - Disipación de potencia: 125 W
Modo canal: Mejora
Empaquetado: Tube
Configuración: Single
Altura: 15,49 mm
Longitud: 10,41 mm
Serie: IRF
Tipo de transistor: 1 canal N
Ancho: 4,7 mm
Transconductancia hacia delante - Mín .: 5,8 S
Tiempo de caída: 24 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 27 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: MOSFETs
Tiempo de retardo de apagado típico: 50 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 14 ns
Alias de las piezas n.º: IRF740PBF-BE3 SIHF740-E3
Peso de la unidad: 6 g
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
Optoacopladores FSN 4N35 Fototransistor 30V DIP6 IC
Circuito; 2 puertas NOR positivas de entrada; PDIP; 7 V; 0,1 mA; 2 V; 0,8 V; 8 mA (máx.)
Cable de prueba con pinza lagartija y abrazadera
Triac de 8 A y 600 V, corriente pico no repetitiva: 65 A, compuerta de alta sensibilidad
Con sus 830 puntos de inserción podrás montar diversos circuitos. Compatible con Arduino Nano y MiniPro.
NE555P IC 555 TEXAS INSTRUMENTS DIP-8 Timer Chip NE555
Kit de carrito seguidor de linea 3V
Transistor MOSFET IRF740PBF
