Descripción:
El TTC5200Q es un transistor bipolar de unión (BJT) tipo NPN de alta potencia, diseñado para aplicaciones que requieren amplificación o conmutación de grandes corrientes y voltajes. Este transistor es comúnmente utilizado en amplificadores de audio de alta potencia, fuentes de alimentación y circuitos de conmutación.
Características:
Fabricante: Toshiba
Categoría de producto: Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
Polaridad del transistor: NPN
Configuración: Single
Corriente CC máxima de colector: 15 A
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 230 V
Tensión VCBO colector-base: 230 V
Voltaje VEBO emisor-base: 5 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 3 V
Dp - Disipación de potencia: 150 W
Producto para ganar Ancho de banda fT: 30 MHz
Temperatura de trabajo mínima: No especificado
Temperatura de trabajo máxima: +150°C
Serie: TTC5200
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
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El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
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Transistor bipolar TTC5200Q
