Descripción:
El TTC5200Q es un transistor bipolar de unión (BJT) tipo NPN de alta potencia, diseñado para aplicaciones que requieren amplificación o conmutación de grandes corrientes y voltajes. Este transistor es comúnmente utilizado en amplificadores de audio de alta potencia, fuentes de alimentación y circuitos de conmutación.
Características:
Fabricante: Toshiba
Categoría de producto: Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
Polaridad del transistor: NPN
Configuración: Single
Corriente CC máxima de colector: 15 A
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 230 V
Tensión VCBO colector-base: 230 V
Voltaje VEBO emisor-base: 5 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 3 V
Dp - Disipación de potencia: 150 W
Producto para ganar Ancho de banda fT: 30 MHz
Temperatura de trabajo mínima: No especificado
Temperatura de trabajo máxima: +150°C
Serie: TTC5200
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Semiconductor transistor 2SA1494
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Pasta Térmica Disipadora de Calor TGP-20G Blanca 20g
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Micro Interruptor Táctil SMD 2x3x0.6mm 4 Pines (5U)
Transistor bipolar TTC5200Q
