Descripción:
El TTC5200Q es un transistor bipolar de unión (BJT) tipo NPN de alta potencia, diseñado para aplicaciones que requieren amplificación o conmutación de grandes corrientes y voltajes. Este transistor es comúnmente utilizado en amplificadores de audio de alta potencia, fuentes de alimentación y circuitos de conmutación.
Características:
Fabricante: Toshiba
Categoría de producto: Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
Polaridad del transistor: NPN
Configuración: Single
Corriente CC máxima de colector: 15 A
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 230 V
Tensión VCBO colector-base: 230 V
Voltaje VEBO emisor-base: 5 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 3 V
Dp - Disipación de potencia: 150 W
Producto para ganar Ancho de banda fT: 30 MHz
Temperatura de trabajo mínima: No especificado
Temperatura de trabajo máxima: +150°C
Serie: TTC5200
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor de potencia IRFP064NPBF
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Pasta Térmica Disipadora de Calor TGP-20G Blanca 20g
Puertos tipo USB-C 3.1 macho o hembra.
Escoger un tipo:
Iman super fuerte (argolla) 50kg
Transistor bipolar TTC5200Q
