Descripción:
El TTC5200Q es un transistor bipolar de unión (BJT) tipo NPN de alta potencia, diseñado para aplicaciones que requieren amplificación o conmutación de grandes corrientes y voltajes. Este transistor es comúnmente utilizado en amplificadores de audio de alta potencia, fuentes de alimentación y circuitos de conmutación.
Características:
Fabricante: Toshiba
Categoría de producto: Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
Polaridad del transistor: NPN
Configuración: Single
Corriente CC máxima de colector: 15 A
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 230 V
Tensión VCBO colector-base: 230 V
Voltaje VEBO emisor-base: 5 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 3 V
Dp - Disipación de potencia: 150 W
Producto para ganar Ancho de banda fT: 30 MHz
Temperatura de trabajo mínima: No especificado
Temperatura de trabajo máxima: +150°C
Serie: TTC5200
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Pasta Térmica Disipadora de Calor TGP-20G Blanca 20g
Transistor bipolar TTC5200Q
