Transistor MOSFET STP55NF06 (TO)
L95.00
Disponibilidad:
25 En stock
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Especificaciones:
Número de Parte: IRF6218
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 150 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 27 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
Caracteristicas:
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de compuerta (Qg): 71 nC
Tiempo de elevación (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
C6G4 SPSC1G7
69 Artículos
Comentarios (0)
No hay reseñas de clientes en este momento.
16 otros productos en la misma categoría:
Transistor NPN 2N3055 15A 100V 115W
L80.00
Disponibilidad:
22 En stock
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
L140.00
Disponibilidad:
33 En stock
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistores NPN BC547 TO-92 (5 unidades)
L35.00
Disponibilidad:
485 En stock
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor PNP A1491 200V 10A
L95.00
Disponibilidad:
83 En stock
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
L50.00
Disponibilidad:
64 En stock
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
L140.00
Disponibilidad:
15 En stock
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Fotodiodo BPX65
L198.00
-L18.33 Apagado
L179.67
Disponibilidad:
20 En stock
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor de Potencia IGBT G50N60 600V 50A (TO-3PL)
L200.00
Disponibilidad:
32 En stock
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
L220.00
Disponibilidad:
49 En stock
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistores 2N2222A NPN TO-92 (100 unidades)
L200.00
Disponibilidad:
9 En stock
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
L50.00
Disponibilidad:
26 En stock
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
L7,800.00
Disponibilidad:
1 En stock
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Productos más vistos
Sensor de temperatura termistor 10K 1% 3950 NTC
L70.00
Disponibilidad:
17 En stock
Sensor de temperatura termistor 10K 1% 3950 NTC
