Especificaciones:
Número de Parte: IRF6218
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 150 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 27 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
Caracteristicas:
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de compuerta (Qg): 71 nC
Tiempo de elevación (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Semiconductor transistor 2SC3858
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
