Especificaciones:
Número de Parte: IRF6218
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 150 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 27 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
Caracteristicas:
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de compuerta (Qg): 71 nC
Tiempo de elevación (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
