Especificaciones:
Número de Parte: IRF6218
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 150 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 27 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
Caracteristicas:
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de compuerta (Qg): 71 nC
Tiempo de elevación (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Batería recargable 18650 7.4V 2600mah 19.24wh con cargador makeblock
Utiliza esta tarjeta de desarrollo para proyectos que requieren solo unos cuantos pines digitales de un microcontrolador.
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