TRANSISTOR CANAL N MOSFET IRF740 TO-220 400V 10A
Transistor MOSFET IRF740PBF
Especificaciones:
Número de Parte: IRF6218
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 150 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 27 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
Caracteristicas:
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de compuerta (Qg): 71 nC
Tiempo de elevación (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
Descargas
Su agradecimiento a la reseña no pudo ser enviado
Reportar comentario
Reporte enviado
Su reporte no pudo ser enviado
Escriba su propia reseña
Reseña enviada
Su reseña no pudo ser enviada
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
check_circle
check_circle