Descripcion:
El 2SC3858 es un transistor bipolar de unión de tipo NPN de ultra alta potencia diseñado por Sanken Electric. Este semiconductor destaca por su avanzada tecnología de chip LAPT (Transistor de Potencia de Múltiples Emisores Alineados de Gran Linealidad), la cual ofrece una respuesta de frecuencia excepcionalmente alta y una excelente linealidad en la ganancia de corriente. Es un componente ampliamente reconocido en la industria del audio por su capacidad para entregar señales nítidas y dinámicas bajo cargas de alta exigencia.
Caracteristicas:
Voltaje Máximo de Colector a Base: 200 Voltios
Voltaje Máximo de Colector a Emisor: 200 Voltios
Voltaje Máximo de Emisor a Base: 6 Voltios
Corriente Máxima de Colector en Conducción Continua: 17 Amperios
Corriente Máxima de Base: 5 Amperios
Disipación de Potencia Máxima del Colector: 200 Vatios
Frecuencia de Transición Típica: 20 Megahercios
Rango de Temperatura de Trabajo de la Unión: -55 °C a +150 °C
Tipo de Encapsulado: MT-200 (estilo de montaje plano de gran tamaño con dos orificios laterales para fijación)
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Regulador descendente 10W 9-18V a 5V DC-DC
Semiconductor transistor 2SC3858
