Descripción:
El IRF820 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para manejar altos voltajes y corrientes moderadas. Se utiliza comúnmente en aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia, como fuentes de alimentación, controladores de motores y circuitos de conversión de energía. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en disipadores de calor, mejorando la gestión térmica.
Características:
Voltaje de drenaje-fuente (Vds): 500 V
Corriente de drenaje (Id): 2.5 A
Encapsulado: TO-220
Resistencia de encendido (Rds(on)): 3 Ω (típico)
Voltaje de compuerta-umbral (Vgs(th)): 2-4 V
Frecuencia de operación: Hasta varios cientos de kHz
Disipación de potencia (Pd): 30 W
Temperatura de operación: -55 °C a 150 °C
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Faja de datos flexible 1 MM 6-30 pines 30CM
Baku BK-3305D DC fuente de alimentación, 30V 5A Regulada ajustable variable lineal DC 110V AC
OJO: UNA VEZ CONECTADA Y ENCENDIDA LA FUENTE, NO CHOCAR LAS PUNTAS DE PRUEBA ENTRE SI YA QUE PUEDE DAÑAR EL EQUIPO PERMANENTEMENTE.
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Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
