Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Descripción:
El IRF820 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para manejar altos voltajes y corrientes moderadas. Se utiliza comúnmente en aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia, como fuentes de alimentación, controladores de motores y circuitos de conversión de energía. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en disipadores de calor, mejorando la gestión térmica.
Características:
Voltaje de drenaje-fuente (Vds): 500 V
Corriente de drenaje (Id): 2.5 A
Encapsulado: TO-220
Resistencia de encendido (Rds(on)): 3 Ω (típico)
Voltaje de compuerta-umbral (Vgs(th)): 2-4 V
Frecuencia de operación: Hasta varios cientos de kHz
Disipación de potencia (Pd): 30 W
Temperatura de operación: -55 °C a 150 °C
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