Descripción:
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
Caracteristicas:
100% avalancha probado
Alta capacidad de corriente
Alta capacidad dv/dt
Datos avalancha repetitivos a 100°C
Bajas capacidades intrínsecas
Carga compuerta minimizado
Tensión de umbral reducida
Alta velocidad de conmutación
Aplicaciones: Administración de potencia, entorno automotriz (inyección, ABS, airbag, controladores de lámparas, etc.), control de motores, amplificadores de audio, convertidores DC-DC y DC-DA, controladores de regulador, solenoide y relé
Especificaciones:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V
Id - Corriente de drenaje continua: 50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 18 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
Qg - Carga de puerta: 44,5 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Dp - Disipación de potencia: 110 W
Modo canal: mejora
Nombre comercial: STripFET
Empaquetado: Tube
Configuración: Single
Altura: 9.15 mm
Longitud: 10,4 mm
Serie: STP55NF06
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Ancho: 4,6 mm
Marca: STMicroelectronics
Transconductancia hacia delante - Mín .: 18 S
Tiempo de caída: 15 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 50 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: MOSFETs
Tiempo de retardo de apagado típico: 36 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns
Peso de la unidad: 2.240 g
Contenido:
1 x Transistor MOSFET STP55NF06 (TO)
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Semiconductor transistor 2SA1494
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Estaño Baku 100g 0.2 mm/0.8mm
Escoger un tamaño:
Diodos de señal de conmutación rápida 1N4148
Terminales de conexión macho hembra 2p-6p 1.25mm
DC3V Teléfono celular móvil Vibrador plano Vibración Micro Motor
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Contenedor para baterías 18650 2 espacios con interruptor y tapa
127 unidades de Tubo termocontraíble color negro T7J8
Resistencias de Filamento de Carbon 1/4W (10 Unidades)
Escoger un valor:
Módulo de placa de aislamiento optoacoplador de 8 canales Módulo de disparo de alto nivel 12V
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
