Transistor de potencia IRFP064NPBF

Descripcion:

Transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones comerciales e industriales que demandan una alta densidad de corriente y baja resistencia en estado activo. Este componente utiliza tecnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia de conduccion extremadamente baja por area de silicio, lo que minimiza de manera drastica las perdidas por calor. Su robusto encapsulado permite un acoplamiento termico eficiente hacia disipadores externos, convirtiendolo en una opcion excelente para inversores de potencia, convertidores DC-DC, sistemas de alimentacion ininterrumpida (UPS) y controladores de velocidad para motores electricos de gran exigencia.

Especificaciones técnicas:

Modelo del componente: IRFP064N
Voltaje maximo drenador-fuente VDSS: 55 V
Voltaje maximo compuerta-fuente VGS: +/- 20 V
Corriente de drenador continua maxima ID: 110 A (A una temperatura de carcasa TC de 25 °C)
Corriente de drenador continua reducida ID: 80 A (A una temperatura de carcasa TC de 100 °C)
Corriente de drenador pulsada maxima IDM: 390 A
Resistencia drenador-fuente en conduccion RDS(on): 0.008 Ohm (Con un voltaje VGS de 10 V)
Disipacion de potencia maxima PD: 200 W (A una temperatura TC de 25 °C)
Temperatura de operacion de la juntura TJ: -55 °C a +175 °C
Distribucion de pines frontal: Pin 1 Compuerta (G), Pin 2 Drenador (D), Pin 3 Fuente (S)