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Caracteristicas:
Fotodiodo de silicio especialmente adecuado para aplicaciones de 350 nm a 1100 nm. Alojado en un paquete de metal de alta fotosensibilidad y herméticamente sellado con lente de vidrio plano, sensor óptico rápido y ancho de banda de alta modulación.
Especificaciones:
Espectros Detectados: Infrarrojo, Luz Visible, Ultravioleta
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico: 850nm
Tipo de Paquete: TO-18
Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante
Número de Pines: 2
Material del Diodo: Si
Mínima Longitud de Onda Detectada: 350nm
Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm
Longitud: 5.6mm
Anchura: 5.6mm
Altura: 5.5mm
Fotosensibilidad de Pico: 0.55A/W
Ángulo de Sensibilidad Media: 40 °
Polaridad: Directo
Contenido:
1 x Fotodiodo BPX65
C3F7 SPSC1F9
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