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Fotodiodo BPX65
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Fotodiodo BPX65

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IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65

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Caracteristicas:

Fotodiodo de silicio especialmente adecuado para aplicaciones de 350 nm a 1100 nm. Alojado en un paquete de metal de alta fotosensibilidad y herméticamente sellado con lente de vidrio plano, sensor óptico rápido y ancho de banda de alta modulación.

Especificaciones:

Espectros Detectados: Infrarrojo, Luz Visible, Ultravioleta

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico: 850nm

Tipo de Paquete: TO-18

Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante

Número de Pines: 2

Material del Diodo: Si

Mínima Longitud de Onda Detectada: 350nm

Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm

Longitud: 5.6mm

Anchura: 5.6mm

Altura: 5.5mm

Fotosensibilidad de Pico: 0.55A/W

Ángulo de Sensibilidad Media: 40 °

Polaridad: Directo

Contenido:

1 x Fotodiodo BPX65

C3F7 SPSC1F9
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