Epecificaciones:
Disipación total de potencia (Pd): 830 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 300 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 86 A
Temperatura operativa máxima (Tj): -55 - 150 °C
Caracteristicas:
Con embalaje TO-247
Conmutación de alta velocidad
Robustez de conmutación muy alta
Fácil de usar
100% probado contra avalanchas
Variaciones mínimas de lote a lote para un dispositivo robusto
rendimiento y operación confiable
Aplicaciones:
Etapas de PFC
Fuente de alimentación
Cambio de aplicaciones
Contenido:
1 x Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
FILAMENTO PLA-HS ESUN 1.75MM 1KG
Tarjeta Micro SD SanDisk de Alta Resistencia 128GB
Tipo K Termopar Tipo de resorte Sensor de temperatura Sonda 2M Cable 5x30mm 0-600C
Filamento PLA de fibra de carbono matte 1.75mm / 1KG OVERTURE
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
