Epecificaciones:
Disipación total de potencia (Pd): 830 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 300 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 86 A
Temperatura operativa máxima (Tj): -55 - 150 °C
Caracteristicas:
Con embalaje TO-247
Conmutación de alta velocidad
Robustez de conmutación muy alta
Fácil de usar
100% probado contra avalanchas
Variaciones mínimas de lote a lote para un dispositivo robusto
rendimiento y operación confiable
Aplicaciones:
Etapas de PFC
Fuente de alimentación
Cambio de aplicaciones
Contenido:
1 x Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor de Potencia NPN BUV48A (TO-247)
Bateria AAA Duracell 1.5V No Recargable
Controlador inteligente para ventilador de techo y lampara iFan04-L SONOFF
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
