Descripción:
Es un transistor de potencia de baja frecuencia y bajo voltaje, utilizado en una variedad de aplicaciones electrónicas. El D882 es un transistor NPN, lo que significa que está compuesto por una unión entre un semiconductor de tipo P y uno de tipo N, con una terminal emisora, una base y una colectora.
Características:
Tensión colector-emisor: 30V
Tensión colector-base: 60V
Tensión emisor-base: 5V
Corriente colector: 3A
Corriente colector pico: 6A
Corriente base: 1A
Disipación de potencia: 5W
Ganancia de corriente continua (hFE): 30 a 300
Ancho de banda de ganancia de corriente (FT): 100MHz
Temperatura de la unión: entre -65 a 150°C
Tensión de saturación colector-emisor (VCE (SAT)): 4 a 1.1V
Resistencia térmica: 10°C/W
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor D882
