Descripción:
Es un transistor de potencia de baja frecuencia y bajo voltaje, utilizado en una variedad de aplicaciones electrónicas. El D882 es un transistor NPN, lo que significa que está compuesto por una unión entre un semiconductor de tipo P y uno de tipo N, con una terminal emisora, una base y una colectora.
Características:
Tensión colector-emisor: 30V
Tensión colector-base: 60V
Tensión emisor-base: 5V
Corriente colector: 3A
Corriente colector pico: 6A
Corriente base: 1A
Disipación de potencia: 5W
Ganancia de corriente continua (hFE): 30 a 300
Ancho de banda de ganancia de corriente (FT): 100MHz
Temperatura de la unión: entre -65 a 150°C
Tensión de saturación colector-emisor (VCE (SAT)): 4 a 1.1V
Resistencia térmica: 10°C/W
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Transistor D882
