Descripción:
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF640 es un mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo robusto y de baja resistencia.
Aplicaciones: Control de Potencia, Industrial, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo.
Características:
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 18 A
Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
Resistencia de activación Rds(on): 0.15 ohm
Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
Tensión umbral Vgs: 4 V
Disipación de potencia Pd: 150 W
Temperatura de operación máxima: 175°C
Encapsulado: TO-220, 3 pines
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
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Interruptor controlado magnético 2 * 14 mm normalmente abierto Interruptor de inducción magnético
Acopladores flexibles para Motores paso a paso, Impresoras 3D, Máquinas CNC y Servomotores
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Pasta térmica dorada 20 gramos HM706
Resistencias de Filamento de Carbon 1/4W (10 Unidades)
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Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
