Descripción:
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF640 es un mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo robusto y de baja resistencia.
Aplicaciones: Control de Potencia, Industrial, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo.
Características:
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 18 A
Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
Resistencia de activación Rds(on): 0.15 ohm
Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
Tensión umbral Vgs: 4 V
Disipación de potencia Pd: 150 W
Temperatura de operación máxima: 175°C
Encapsulado: TO-220, 3 pines
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Genera electricidad para tus proyectos con el flujo de agua.
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Amplificador de audio TDA7293V 100W, 120V, 100W, clase AB DMOS
Pasta térmica dorada 20 gramos HM706
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
