Descripción:
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF640 es un mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo robusto y de baja resistencia.
Aplicaciones: Control de Potencia, Industrial, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo.
Características:
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 18 A
Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
Resistencia de activación Rds(on): 0.15 ohm
Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
Tensión umbral Vgs: 4 V
Disipación de potencia Pd: 150 W
Temperatura de operación máxima: 175°C
Encapsulado: TO-220, 3 pines
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Mosfet IRFB4227PBF
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Amplificador de audio TDA7293V 100W, 120V, 100W, clase AB DMOS
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
