Descripción:
Es un dispositivo semiconductor de alta velocidad, ampliamente utilizado en aplicaciones de potencia debido a su eficiencia y capacidad de manejar altos voltajes y corrientes. Los IGBT combinan las ventajas de los transistores bipolares (alto voltaje y corriente) y los MOSFET (alta velocidad de conmutación y bajo consumo en la compuerta), lo que los hace ideales para aplicaciones como inversores, controladores de motores, fuentes de alimentación conmutadas y más.
Características:
Voltaje máximo de colector-emisor (Vce): 600V
Corriente de colector (Ic): 40A
Tipo: N-channel IGBT
Caída de voltaje en saturación (Vce(on)): Aproximadamente 2.3V a 40A
Frecuencia de conmutación: Alta velocidad, adecuada para frecuencias de hasta 20-30 kHz en aplicaciones de conmutación.
Temperatura de operación máxima: 150°C
Encapsulado: TO-247, lo que permite una mejor disipación de calor.
Tiempo de conmutación rápido: Menos de 200 ns para tiempos de encendido y apagado.
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Jumper de Conexión 70 CM (2-3-4 Lineas)
USB-C Thunderbolt 5 Cable
Resina UV de Curado 3D Creality 500 Gramos
Cargador de Batería de Litio 9V a 3.7V 3A
Osciloscopio Instrustar para PC MDSO ISDS205A 2CH 20MHz 48MSa
Regulador UC3845AD8TR (SMD/SMT)
Modulo probador para sensor de distancia ultrasónico
Amplificador Operacional LM324 SMD (SOIC)
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
