Descripción:
Es un dispositivo semiconductor de alta velocidad, ampliamente utilizado en aplicaciones de potencia debido a su eficiencia y capacidad de manejar altos voltajes y corrientes. Los IGBT combinan las ventajas de los transistores bipolares (alto voltaje y corriente) y los MOSFET (alta velocidad de conmutación y bajo consumo en la compuerta), lo que los hace ideales para aplicaciones como inversores, controladores de motores, fuentes de alimentación conmutadas y más.
Características:
Voltaje máximo de colector-emisor (Vce): 600V
Corriente de colector (Ic): 40A
Tipo: N-channel IGBT
Caída de voltaje en saturación (Vce(on)): Aproximadamente 2.3V a 40A
Frecuencia de conmutación: Alta velocidad, adecuada para frecuencias de hasta 20-30 kHz en aplicaciones de conmutación.
Temperatura de operación máxima: 150°C
Encapsulado: TO-247, lo que permite una mejor disipación de calor.
Tiempo de conmutación rápido: Menos de 200 ns para tiempos de encendido y apagado.
C14j3 / SPSC5C7
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