Descripción:
Es un dispositivo semiconductor de alta velocidad, ampliamente utilizado en aplicaciones de potencia debido a su eficiencia y capacidad de manejar altos voltajes y corrientes. Los IGBT combinan las ventajas de los transistores bipolares (alto voltaje y corriente) y los MOSFET (alta velocidad de conmutación y bajo consumo en la compuerta), lo que los hace ideales para aplicaciones como inversores, controladores de motores, fuentes de alimentación conmutadas y más.
Características:
Voltaje máximo de colector-emisor (Vce): 600V
Corriente de colector (Ic): 40A
Tipo: N-channel IGBT
Caída de voltaje en saturación (Vce(on)): Aproximadamente 2.3V a 40A
Frecuencia de conmutación: Alta velocidad, adecuada para frecuencias de hasta 20-30 kHz en aplicaciones de conmutación.
Temperatura de operación máxima: 150°C
Encapsulado: TO-247, lo que permite una mejor disipación de calor.
Tiempo de conmutación rápido: Menos de 200 ns para tiempos de encendido y apagado.
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
