Descripcion:
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines). Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW, aun asi, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40Vdc, siempre y cuando no se exiga el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipacion maxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificacion (Hfe) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 100 y los 300.
Es un dispositivo, extremadamente rapido, muy util en circuitos donde se requiera utilizar dispositivos finales con control PWM de bajo consumo, como pueden ser motores de 3V, con control en velocidad. Ademas, puede ser utilizado en circuitos de amplificacion de señales bajas, inversor de estados logicos (TTL o CMOS), controlar reles y motores de baja potencias (3V), etc.
Caracteristicas:
Voltaje colector-emisor (VCE): 40Vdc
Corriente max. colector (IC max): 600mA
Factor amplicacion: 100 ~ 300
Frecuencia max. de trabajo: 250Khz
Temperatura de operacion: -55 ~ 125°C
Dimenciones: 17.5mm de largo x 5mm de ancho x 3.6mm de alto.
Contenido:
100 x transistor 2N2222A NPN
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistor de potencia IRFP064NPBF
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
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Ventilador plástico de 12/24V 120x120x38mm
Transformador de potencia 220V 50Hz 8-50W 5-24V
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
