Descripción:
El EVM31-050A es un módulo de transistor de potencia de Fuji Electric, ampliamente utilizado en la industria de la electrónica de potencia.
Con su alta ganancia de corriente, puede usarlo en cualquier sistema de diseño que requiera alta potencia.
Junto con sus aplicaciones de alta potencia, los componentes internos están aislados entre sí, lo que significa que no hay posibilidad de cortocircuito interno de los componentes, independientemente de las condiciones de carga.
Esta parte también proporciona estabilidad y protección en caso de picos de voltaje debido a la carga conectada o debido a una disminución en el suministro entrante, gracias a la estructura de diodo de rueda libre provista.
Parámetros:
Aquí mencionamos algunos parámetros importantes del modelo IC EVM31-050A. Para obtener información completa, consulte la hoja de datos de EVM31-050A
VCBO Voltaje máximo permitido en la unión de la base del colector 600(ICBO = 1mA) V
VCEO Voltaje máximo permitido en la unión del emisor del colector 600(ICEO = 1mA) V
VEBO Voltaje máximo permitido en la unión de la base del emisor 6(IEBO = 100mA) V
OCCI Colector - Corriente de corte base 1,0 (VCBO = 600 V) mA
IEBO Emisor - Corriente de corte base 100(VEBO =6V) mA
VCE(SAT) Voltaje de saturación del emisor del colector 2,0 (CI = 150A, IB = 4A) V
VBE(SAT) Voltaje de saturación del emisor base 2,5 (CI = 150A, IB = 4A) V
HFE DC ganancia de corriente 70(IC=150A,VCE=5V) N / A
Aplicación tipica:
El módulo EVM31-050A se utiliza básicamente en aplicaciones donde se necesitan requisitos de alta potencia. Tenga en cuenta que esto solo se puede utilizar en cargas inductivas. Algunas de las áreas donde se puede utilizar son:
- Circuitos de control de motores (tanto CA como CC)
- Diseño de circuito de fuente de alimentación ininterrumpida (UPS)
Referencias específicas
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
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Relé 12V 40A con Zocalo 5 pines
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
