Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A

Especificaciones:

Categoría de producto: MOSFET

Estilo de montaje: Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-3P-3

Polaridad del transistor: canal N

Número de canales: 1 canal

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 200 V

Id - Corriente de drenaje continua: 50 A

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 60 mOhms

Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V

Qg - Carga de puerta: 70 nC

Temperatura de trabajo mínima: - 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 175 C

Dp - Disipación de potencia: 360 W

Modo canal: Mejora

Empaquetado: Tube

Configuración: Single

Altura: 20,3 mm

Longitud: 15,8 mm

Serie: IXTQ50N20

Tipo de transistor: 1 canal N

Tipo: PolarHT Power MOSFET

Ancho: 4,9 mm

Transconductancia hacia delante - Mín .: 12 S

Tiempo de caída: 30 ns

Tipo de producto: MOSFET

Tiempo de subida: 35 ns

Cantidad de empaque de fábrica: 30

Subcategoría: MOSFETs

Tiempo de retardo de apagado típico: 70 ns

Tiempo típico de demora de encendido: 26 ns

Contenido:

1 x Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A