Especificaciones:
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-3P-3
Polaridad del transistor: canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 200 V
Id - Corriente de drenaje continua: 50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 60 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
Qg - Carga de puerta: 70 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Dp - Disipación de potencia: 360 W
Modo canal: Mejora
Empaquetado: Tube
Configuración: Single
Altura: 20,3 mm
Longitud: 15,8 mm
Serie: IXTQ50N20
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: PolarHT Power MOSFET
Ancho: 4,9 mm
Transconductancia hacia delante - Mín .: 12 S
Tiempo de caída: 30 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 35 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: MOSFETs
Tiempo de retardo de apagado típico: 70 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 26 ns
Contenido:
1 x Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistor de potencia IRFP064NPBF
Inductor Toroidal de bobina de inducción magnética 10uH - 470uH 3A
Resistencias de Filamento de Carbón 3W 1% 1 Valor (5 Unidades)
Kit de capacitores 100V
Capacitor de seguridad 4.7uf 275 - 310 VAC 50/60 Hz
Diodos zener 28 valores 1W
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
