Especificaciones:
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-3P-3
Polaridad del transistor: canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 200 V
Id - Corriente de drenaje continua: 50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 60 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
Qg - Carga de puerta: 70 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Dp - Disipación de potencia: 360 W
Modo canal: Mejora
Empaquetado: Tube
Configuración: Single
Altura: 20,3 mm
Longitud: 15,8 mm
Serie: IXTQ50N20
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: PolarHT Power MOSFET
Ancho: 4,9 mm
Transconductancia hacia delante - Mín .: 12 S
Tiempo de caída: 30 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 35 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: MOSFETs
Tiempo de retardo de apagado típico: 70 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 26 ns
Contenido:
1 x Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
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