Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2

Descripción:  

El BPW34 DIP-2 es un fotodiodo de alta sensibilidad y rápida respuesta diseñado para la detección de luz en una amplia gama de aplicaciones. Con una sensibilidad espectral de 400 nm a 1100 nm, es ideal para detectar luz visible e infrarrojo cercano. El dispositivo cuenta con baja capacitancia, lo que permite velocidades de conmutación rápidas, haciéndolo adecuado para transmisión de datos de alta velocidad y sistemas de sensores ópticos. Su paquete compacto DIP-2 facilita la integración en circuitos. El BPW34 ofrece una respuesta lineal a las variaciones de intensidad de luz y se utiliza ampliamente en receptores de control remoto, fotómetros y sensores solares.

Características: 

Rango de Sensibilidad Espectral: 400 nm a 1100 nm

Longitud de Onda Pico: 900 nm

Alta Sensibilidad

Tiempo de Respuesta Rápido

Baja Corriente Oscura

Baja Capacitancia 

Área sensible a la radiación (en mm²): 7.5 

Ángulo de media sensibilidad: φ = ± 65°

Voltaje Generado con LED Infrarrojo: Aproximadamente 0.5 VDC (con un LED de 940 nm).

Voltaje en Iluminación Fluorescente: Aproximadamente 250 mV en condiciones de luz brillante.

Corriente de Cortocircuito: Alcanza hasta 0.6 mA en condiciones de luz óptima.

Capacitancia: Aproximadamente 20 pF, lo que afecta la velocidad de respuesta del dispositivo.