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Descripción:
Este tipo de MOSFET es ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación de alta velocidad y manejo de potencia, como fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores, controladores de motores y amplificadores de audio clase D.
Características:
Tensión disruptiva (Vds): 200 V
Corriente de drenaje continua (Id): 65 A
Resistencia entre drenaje y fuente (Rds On): 24 mΩ
Tensión entre puerta y fuente (Vgs): -30 V / +30 V
Tensión umbral entre puerta y fuente (Vgs th): 1.8 V
Carga de puerta (Qg): 70 nC
Disipación de potencia (Pd): 330 W
Modo de canal: Enhancement (modo de enriquecimiento)
Configuración: Single (único canal)
Tipo de transistor: N-Channel MOSFET
C15C5 - SPSC5C8
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