Descripción:
Este tipo de MOSFET es ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación de alta velocidad y manejo de potencia, como fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores, controladores de motores y amplificadores de audio clase D.
Características:
Tensión disruptiva (Vds): 200 V
Corriente de drenaje continua (Id): 65 A
Resistencia entre drenaje y fuente (Rds On): 24 mΩ
Tensión entre puerta y fuente (Vgs): -30 V / +30 V
Tensión umbral entre puerta y fuente (Vgs th): 1.8 V
Carga de puerta (Qg): 70 nC
Disipación de potencia (Pd): 330 W
Modo de canal: Enhancement (modo de enriquecimiento)
Configuración: Single (único canal)
Tipo de transistor: N-Channel MOSFET
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Transistor MOSFET IRF740PBF
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Base con soporte para Cautín.
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Regulador de Voltaje 78L05-15 SMD (SOT-89)
Terminal para cable AWG 22-16 (rojo), 16-14 (azul) y 12-10 (amarillo) hembra y macho para empalme rápido (3 pares).
Escoger un tipo:
Mini relé 5V 10A para PCB SRD-05VDC-SL-C
Cableado estéreo para Toyota/Scion de 10 pines
Mosfet IRFB4227PBF
