Descripción:
Este tipo de MOSFET es ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación de alta velocidad y manejo de potencia, como fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores, controladores de motores y amplificadores de audio clase D.
Características:
Tensión disruptiva (Vds): 200 V
Corriente de drenaje continua (Id): 65 A
Resistencia entre drenaje y fuente (Rds On): 24 mΩ
Tensión entre puerta y fuente (Vgs): -30 V / +30 V
Tensión umbral entre puerta y fuente (Vgs th): 1.8 V
Carga de puerta (Qg): 70 nC
Disipación de potencia (Pd): 330 W
Modo de canal: Enhancement (modo de enriquecimiento)
Configuración: Single (único canal)
Tipo de transistor: N-Channel MOSFET
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor de potencia IRFP064NPBF
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Base con soporte para Cautín.
Mini relé 5V 10A para PCB SRD-05VDC-SL-C
Terminal para cable AWG 22-16 (rojo), 16-14 (azul) y 12-10 (amarillo) hembra y macho para empalme rápido (3 pares).
Escoger un tipo:
Regulador de Voltaje 78L05-15 SMD (SOT-89)
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Mosfet IRFB4227PBF
