Descripción:
El transistor 2SB772 es un dispositivo de tipo PNP que pertenece a la familia de transistores bipolares de unión (BJT, por sus siglas en inglés). Es un transistor de potencia media que se utiliza en una variedad de aplicaciones electrónicas.
Características:
Tensión colector-emisor: 30V
Tensión colector-base: 60V
Tensión emisor-base: 5V
Corriente colector: 3A
Corriente colector pico: 6A
Corriente base: 1A
Disipación de potencia: 5W
Ganancia de corriente continua (hFE): 30 a 300
Ancho de banda de ganancia de corriente (FT): 100MHz
Temperatura de la unión: entre -65 a 150°C
Tensión de saturación colector-emisor (VCE (SAT)): -0.4 a -1.1V
Resistencia térmica: 10°C/W
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Mosfet IRFB4227PBF
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
Transistor B772
