Transistor de Potencia IGBT G50N60 600V 50A (TO-3PL)
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Descripción:
El transistor 2SB772 es un dispositivo de tipo PNP que pertenece a la familia de transistores bipolares de unión (BJT, por sus siglas en inglés). Es un transistor de potencia media que se utiliza en una variedad de aplicaciones electrónicas.
Características:
Tensión colector-emisor: 30V
Tensión colector-base: 60V
Tensión emisor-base: 5V
Corriente colector: 3A
Corriente colector pico: 6A
Corriente base: 1A
Disipación de potencia: 5W
Ganancia de corriente continua (hFE): 30 a 300
Ancho de banda de ganancia de corriente (FT): 100MHz
Temperatura de la unión: entre -65 a 150°C
Tensión de saturación colector-emisor (VCE (SAT)): -0.4 a -1.1V
Resistencia térmica: 10°C/W
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