Descripción:
El transistor 2SB772 es un dispositivo de tipo PNP que pertenece a la familia de transistores bipolares de unión (BJT, por sus siglas en inglés). Es un transistor de potencia media que se utiliza en una variedad de aplicaciones electrónicas.
Características:
Tensión colector-emisor: 30V
Tensión colector-base: 60V
Tensión emisor-base: 5V
Corriente colector: 3A
Corriente colector pico: 6A
Corriente base: 1A
Disipación de potencia: 5W
Ganancia de corriente continua (hFE): 30 a 300
Ancho de banda de ganancia de corriente (FT): 100MHz
Temperatura de la unión: entre -65 a 150°C
Tensión de saturación colector-emisor (VCE (SAT)): -0.4 a -1.1V
Resistencia térmica: 10°C/W
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
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Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor B772
