Transistor Mosfet Canal N 75NF75 75V 75A
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Descripcion:
Este transistor bipolar es de propósito general para circuitos de potencia. Se crea mediante procesos de epitaxia para crecer las capas semiconductoras de las que se compone y luego se encapsula en un package de metal.
El transistor 2n3055 se puede usar para circuitos de media potencia, es seguro, tiene una baja saturación entre el voltaje del colector-emisor, el empaquetado está disponible libre de plomo, tiene una ganancia de más de 70 hFE para corriente continua (lineal), el máximo voltaje que puede manejar o pasar a través del colector y emisor es de 60v para CC, igual que la máxima corriente que puede pasar a través del colector es de 15A en continua.
Para la base, los límites están en 7v (base-emisor) y 7A de corriente continua en ambos casos. En el caso del voltaje entre el colector y la base puede llegar a los 100v. Si atendemos a la temperatura a la que puede operar, el rango está entre los -65 a +200ºC. Por tanto, trabaja a extremas temperaturas sin problema, algo que no todos los dispositivos electrónicos toleran, especialmente si te fijas en la temperatura máxima soportada. Por cierto, en cuanto a disipación de potencia, llega a los 115W.
Caracteristicas:
Modelo: 2N3055
Polaridad: NPN
Frecuencia de operación: 3 MHz
Tensión colector-emisor máx .: 60 V
Voltaje de la base del emisor máx .: 7 V
Voltaje base-colector max: 100 V
Corriente continua del colector: 15 A
Potencia: 115 W
Temperatura máxima de funcionamiento: 200 ° C
Caso: TO-3
Montaje: THT
Contenido:
1 x Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Descargas
Su agradecimiento a la reseña no pudo ser enviado
Reportar comentario
Reporte enviado
Su reporte no pudo ser enviado
Escriba su propia reseña
Reseña enviada
Su reseña no pudo ser enviada
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Tubo de Termocontractil (Aislante) 1mm - 100mm
capacitores Ceramicos 630V ( elegir dos valores) entre 0.007uf y 0.47uf
Puente Rectificador GBU2510 25A 1000V (2U)
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Resistencias de cemento de 10W de varios valores
Baquelita PCB Perforada 10 x 10 CM Un Lado
Set de 10 unidades de diodos LED 5mm
Lupa con Pinzas Sujetadoras y Luz LED TE-801
*No incluye baterías
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
check_circle
check_circle