Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A

Descripción:

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El RFP50N06 es un MOSFET de potencia de N-canal de 60V usando el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características que se acercan a los de los circuitos integrados LSI, proporciona una utilización óptima del silicio, resultando en un rendimiento excepcional. El MOSFET está diseñado para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor y controladores de relés. Este transistor puede ser operado directamente desde circuitos integrados. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

Especificaciones:

Modelo PSPICE® de compensación de temperatura

Corriente de pico vs. curva de ancho de pulso

UIS Curva nominal

175 ° C Temperatura de unión nominal

Aplicaciones: Administración de potencia, control de motor

Información Básica

Polaridad de transistor: Canal N

Voltaje de drenaje-fuente VDS: 60 V

Voltaje de drenaje-compuerta VDGR: 60 V

Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 20 V

Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 50 A

Resistencia de activación Rds(on): 22 mΩ

Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 131 W

Temperatura de operación mínima: -65 °C

Temperatura de operación máxima: 150 °C

Encapsulado: TO-220

Número de pines: 3

Sustituto

NTE2395  STP60N06  IRFZ42  MTP36N06  IRFZ40 IRFZ44N  FQP50N06 MTP50N06