Descripción:
El BTW69-200 es un transistor de alta potencia diseñado para aplicaciones de control de energía en corriente alterna (AC) y corriente continua (DC). Su capacidad para manejar altas corrientes y voltajes lo hace ideal para aplicaciones en controladores de motores, fuentes de alimentación conmutadas, sistemas de calefacción, control de iluminación y otras aplicaciones industriales donde se requiere control de alta potencia.
Características:
stado de la pieza: Activo
Voltaje de Fuera de Estado: 200 V
Voltaje de Disparador de Compuerta (Máx.): 1.5 V
Corriente de Disparador de Compuerta (Máx.): 80 mA
Voltaje en Estado Encendido (Máx.): 1.9 V
Corriente en Estado Activo (Máx.): 32 A
Corriente en Estado (Máx.): 50 A
Corriente de Retención: 150 mA
Corriente de Fuera de Estado (Máx.): 10 µA
Corriente de Pico No Repetitivo 50/60 Hz: 580 A / 610 A
Tipo de Dispositivo: SCR
Recuperación: Estándar
Temperatura de Funcionamiento: -40°C ~ 125°C
Tipo de Montaje: Orificio Pasante
Paquete / Caja (Carcasa): TOP-3
Paquete del Dispositivo del Proveedor: TOP3
Número de Producto Base: BTW69
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor de potencia IRFP064NPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Semiconductor BTW69-200
