Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
DESCRIPCIÓN
El UTC 50N06 es un dispositivo de silicio de tres terminales con corriente
capacidad de conducción de alrededor de 50A, velocidad de conmutación rápida. Bajo
resistencia en estado, clasificación de voltaje de ruptura de 60 V y máx.
voltajes de umbral de 4 voltios.
Es principalmente balasto electrónico adecuado y conmutación de baja potencia.
electrodomésticos de modo de alimentación.
CARACTERÍSTICAS
* RDS (ENCENDIDO) = 23 mΩ@VGS = 10 V
* Carga de puerta ultra baja (típica 30 nC)
* Capacitancia de transferencia inversa baja (CRSS = típico 80 pF)
* Capacidad de conmutación rápida
* 100% energía de avalancha especificada
* Capacidad mejorada de dv/dt
Contenido:
1 x Transistor
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Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
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Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
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El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Resistencia SMD 1% 1/8W 0603
95DB 3-24V alarma zumbador electrónico largo continuo pitido Arduino piezoeléctrico
Pasta térmica dorada 20 gramos HM706
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Conector de 5,5 x 2,1 mm a 8 conectores.
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
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