DESCRIPCIÓN
El UTC 50N06 es un dispositivo de silicio de tres terminales con corriente
capacidad de conducción de alrededor de 50A, velocidad de conmutación rápida. Bajo
resistencia en estado, clasificación de voltaje de ruptura de 60 V y máx.
voltajes de umbral de 4 voltios.
Es principalmente balasto electrónico adecuado y conmutación de baja potencia.
electrodomésticos de modo de alimentación.
CARACTERÍSTICAS
* RDS (ENCENDIDO) = 23 mΩ@VGS = 10 V
* Carga de puerta ultra baja (típica 30 nC)
* Capacitancia de transferencia inversa baja (CRSS = típico 80 pF)
* Capacidad de conmutación rápida
* 100% energía de avalancha especificada
* Capacidad mejorada de dv/dt
Contenido:
1 x Transistor
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Pasta térmica dorada 20 gramos HM706
95DB 3-24V alarma zumbador electrónico largo continuo pitido Arduino piezoeléctrico
Resistencia SMD 1% 1/8W 0603
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
