DESCRIPCIÓN
El UTC 50N06 es un dispositivo de silicio de tres terminales con corriente
capacidad de conducción de alrededor de 50A, velocidad de conmutación rápida. Bajo
resistencia en estado, clasificación de voltaje de ruptura de 60 V y máx.
voltajes de umbral de 4 voltios.
Es principalmente balasto electrónico adecuado y conmutación de baja potencia.
electrodomésticos de modo de alimentación.
CARACTERÍSTICAS
* RDS (ENCENDIDO) = 23 mΩ@VGS = 10 V
* Carga de puerta ultra baja (típica 30 nC)
* Capacitancia de transferencia inversa baja (CRSS = típico 80 pF)
* Capacidad de conmutación rápida
* 100% energía de avalancha especificada
* Capacidad mejorada de dv/dt
Contenido:
1 x Transistor
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Bateria 9V Duracell No Recargable
Con sus 830 puntos de inserción podrás montar diversos circuitos. Compatible con Arduino Nano y MiniPro.
95DB 3-24V alarma zumbador electrónico largo continuo pitido Arduino piezoeléctrico
Interruptor de palanca 2 posiciones ASW-15D 3P 12V 20A con luz verde
Set de 10 unidades de diodos LED 5mm
Resistencias de Filamento de Carbon 1/4W (10 Unidades)
Escoger un valor:
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
