DESCRIPCIÓN
El UTC 50N06 es un dispositivo de silicio de tres terminales con corriente
capacidad de conducción de alrededor de 50A, velocidad de conmutación rápida. Bajo
resistencia en estado, clasificación de voltaje de ruptura de 60 V y máx.
voltajes de umbral de 4 voltios.
Es principalmente balasto electrónico adecuado y conmutación de baja potencia.
electrodomésticos de modo de alimentación.
CARACTERÍSTICAS
* RDS (ENCENDIDO) = 23 mΩ@VGS = 10 V
* Carga de puerta ultra baja (típica 30 nC)
* Capacitancia de transferencia inversa baja (CRSS = típico 80 pF)
* Capacidad de conmutación rápida
* 100% energía de avalancha especificada
* Capacidad mejorada de dv/dt
Contenido:
1 x Transistor
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Pasta térmica dorada 20 gramos HM706
Modulo de Carga Rapida de Protocolo IP6518 BC1.2PD QC3.0 USB-A/USB-C
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
