DESCRIPCIÓN
El UTC 50N06 es un dispositivo de silicio de tres terminales con corriente
capacidad de conducción de alrededor de 50A, velocidad de conmutación rápida. Bajo
resistencia en estado, clasificación de voltaje de ruptura de 60 V y máx.
voltajes de umbral de 4 voltios.
Es principalmente balasto electrónico adecuado y conmutación de baja potencia.
electrodomésticos de modo de alimentación.
CARACTERÍSTICAS
* RDS (ENCENDIDO) = 23 mΩ@VGS = 10 V
* Carga de puerta ultra baja (típica 30 nC)
* Capacitancia de transferencia inversa baja (CRSS = típico 80 pF)
* Capacidad de conmutación rápida
* 100% energía de avalancha especificada
* Capacidad mejorada de dv/dt
Contenido:
1 x Transistor
Capacitor Ceramico SMD 0603
Escoger un valor:
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
