Especificaciones:
Los dispositivos DAWINíS IGBT 7DM-2 Package están optimizados para reducir las pérdidas y ruido de conmutación en sistemas eléctricos de acondicionamiento de energía de alta frecuencia. Estos módulos IGBT son ideales para inversores de potencia, accionamientos de motores y otras aplicaciones donde las pérdidas de conmutación son una parte significativa del pérdidas totales.
Características:
Tipo de canal N
Configuración Doble
Voltaje típico de saturación del emisor del colector (V) 2.1
Voltaje máximo colector-emisor (V) 600
Disipación de energía máxima (mW) 833000
Voltaje máximo del emisor de puerta (V) ± 20
Corriente continua máxima del colector (A) 375
Corriente máxima de fuga del emisor de puerta (uA) 0,1
Temperatura mínima de funcionamiento (° C) -40
Temperatura máxima de funcionamiento (° C) 150
Aplicaciones:
Accionamientos de motor, inversores de alta potencia, máquina de soldar, calentamiento por inducción, UPS, CVCF, robótica, servocontroles, SMPS de alta velocidad.
Incluye:
1 x
Referencias específicas
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
