Especificaciones:
Los dispositivos DAWINíS IGBT 7DM-2 Package están optimizados para reducir las pérdidas y ruido de conmutación en sistemas eléctricos de acondicionamiento de energía de alta frecuencia. Estos módulos IGBT son ideales para inversores de potencia, accionamientos de motores y otras aplicaciones donde las pérdidas de conmutación son una parte significativa del pérdidas totales.
Características:
Tipo de canal N
Configuración Doble
Voltaje típico de saturación del emisor del colector (V) 2.1
Voltaje máximo colector-emisor (V) 600
Disipación de energía máxima (mW) 833000
Voltaje máximo del emisor de puerta (V) ± 20
Corriente continua máxima del colector (A) 375
Corriente máxima de fuga del emisor de puerta (uA) 0,1
Temperatura mínima de funcionamiento (° C) -40
Temperatura máxima de funcionamiento (° C) 150
Aplicaciones:
Accionamientos de motor, inversores de alta potencia, máquina de soldar, calentamiento por inducción, UPS, CVCF, robótica, servocontroles, SMPS de alta velocidad.
Incluye:
1 x
Referencias específicas
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
