Especificaciones:
Los dispositivos DAWINíS IGBT 7DM-2 Package están optimizados para reducir las pérdidas y ruido de conmutación en sistemas eléctricos de acondicionamiento de energía de alta frecuencia. Estos módulos IGBT son ideales para inversores de potencia, accionamientos de motores y otras aplicaciones donde las pérdidas de conmutación son una parte significativa del pérdidas totales.
Características:
Tipo de canal N
Configuración Doble
Voltaje típico de saturación del emisor del colector (V) 2.1
Voltaje máximo colector-emisor (V) 600
Disipación de energía máxima (mW) 833000
Voltaje máximo del emisor de puerta (V) ± 20
Corriente continua máxima del colector (A) 375
Corriente máxima de fuga del emisor de puerta (uA) 0,1
Temperatura mínima de funcionamiento (° C) -40
Temperatura máxima de funcionamiento (° C) 150
Aplicaciones:
Accionamientos de motor, inversores de alta potencia, máquina de soldar, calentamiento por inducción, UPS, CVCF, robótica, servocontroles, SMPS de alta velocidad.
Incluye:
1 x
Referencias específicas
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
