Especificaciones:
Los dispositivos DAWINíS IGBT 7DM-2 Package están optimizados para reducir las pérdidas y ruido de conmutación en sistemas eléctricos de acondicionamiento de energía de alta frecuencia. Estos módulos IGBT son ideales para inversores de potencia, accionamientos de motores y otras aplicaciones donde las pérdidas de conmutación son una parte significativa del pérdidas totales.
Características:
Tipo de canal N
Configuración Doble
Voltaje típico de saturación del emisor del colector (V) 2.1
Voltaje máximo colector-emisor (V) 600
Disipación de energía máxima (mW) 833000
Voltaje máximo del emisor de puerta (V) ± 20
Corriente continua máxima del colector (A) 375
Corriente máxima de fuga del emisor de puerta (uA) 0,1
Temperatura mínima de funcionamiento (° C) -40
Temperatura máxima de funcionamiento (° C) 150
Aplicaciones:
Accionamientos de motor, inversores de alta potencia, máquina de soldar, calentamiento por inducción, UPS, CVCF, robótica, servocontroles, SMPS de alta velocidad.
Incluye:
1 x
Referencias específicas
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Semiconductor transistor 2SC3858
Transistor de potencia IRFP064NPBF
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor NPN BC547 TO-92
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
