Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
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Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE

L1,800.00
Impuestos incluidos

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Especificaciones:

Los dispositivos DAWINíS IGBT 7DM-2 Package están optimizados para reducir las pérdidas y ruido de conmutación en sistemas eléctricos de acondicionamiento de energía de alta frecuencia. Estos módulos IGBT son ideales para inversores de potencia, accionamientos de motores y otras aplicaciones donde las pérdidas de conmutación son una parte significativa del pérdidas totales.

Características:

Tipo de canal N

Configuración Doble

Voltaje típico de saturación del emisor del colector (V) 2.1

Voltaje máximo colector-emisor (V) 600

Disipación de energía máxima (mW) 833000

Voltaje máximo del emisor de puerta (V) ± 20

Corriente continua máxima del colector (A) 375

Corriente máxima de fuga del emisor de puerta (uA) 0,1

Temperatura mínima de funcionamiento (° C) -40

Temperatura máxima de funcionamiento (° C) 150

Aplicaciones:

Accionamientos de motor, inversores de alta potencia, máquina de soldar, calentamiento por inducción, UPS, CVCF, robótica, servocontroles, SMPS de alta velocidad.

Incluye: 

1 x 

EF2L1C1 SPSE5L3C6
1 Artículo

Referencias específicas

isbn
0002854
upc
0002854
ean13
0002854
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