Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Descripción:
TIP2955 Transistor BJT PNP -60V / -15A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es capaz de disipar hasta 90W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 60VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 5 y 100.
Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como Amplificador de Audio y Driver
Características:
Tipo de Encapsulado: TO-247
Transistor complementario TIP3055
Transistor equivalente a NTE393
Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
Voltaje Colector - Emisor (VCE): -60V
Voltaje Colector - Base (VCB): -100V
Voltaje Emisor - Base (VEB): -7V
Corriente Colector (IC): -15A
Corriente Base (IB): -7A
Potencia Máxima Disipada (PD): 90W
Ganancia Máxima (hFE): 100
Frecuencia de Trabajo (FT): 2.5 MHz
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