Descripción:
TIP2955 Transistor BJT PNP -60V / -15A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es capaz de disipar hasta 90W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 60VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 5 y 100.
Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como Amplificador de Audio y Driver
Características:
Tipo de Encapsulado: TO-247
Transistor complementario TIP3055
Transistor equivalente a NTE393
Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
Voltaje Colector - Emisor (VCE): -60V
Voltaje Colector - Base (VCB): -100V
Voltaje Emisor - Base (VEB): -7V
Corriente Colector (IC): -15A
Corriente Base (IB): -7A
Potencia Máxima Disipada (PD): 90W
Ganancia Máxima (hFE): 100
Frecuencia de Trabajo (FT): 2.5 MHz
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor de potencia TIP2955
