Descripción:
TIP2955 Transistor BJT PNP -60V / -15A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es capaz de disipar hasta 90W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 60VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 5 y 100.
Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como Amplificador de Audio y Driver
Características:
Tipo de Encapsulado: TO-247
Transistor complementario TIP3055
Transistor equivalente a NTE393
Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
Voltaje Colector - Emisor (VCE): -60V
Voltaje Colector - Base (VCB): -100V
Voltaje Emisor - Base (VEB): -7V
Corriente Colector (IC): -15A
Corriente Base (IB): -7A
Potencia Máxima Disipada (PD): 90W
Ganancia Máxima (hFE): 100
Frecuencia de Trabajo (FT): 2.5 MHz
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor de potencia TIP2955
