Descripción:
El IRF630 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación. Es ideal para controlar cargas de alta potencia debido a su alta eficiencia y bajo calor disipado. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en disipadores de calor para un mejor rendimiento térmico.
Características:
Tipo: Canal N
Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): 200 V
Corriente máxima de drenaje (Id): 9 A
Rds(on): 0.4 Ω (resistencia de encendido)
Voltaje de compuerta-umbral (Vgs-th): 2-4 V
Encapsulado: TO-220
Potencia máxima disipada: 74 W
Temperatura de operación: -55 °C a 150 °C
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Semiconductor transistor 2SC3858
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Semiconductor transistor 2SA1494
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
