Descripción:
El IRF630 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación. Es ideal para controlar cargas de alta potencia debido a su alta eficiencia y bajo calor disipado. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en disipadores de calor para un mejor rendimiento térmico.
Características:
Tipo: Canal N
Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): 200 V
Corriente máxima de drenaje (Id): 9 A
Rds(on): 0.4 Ω (resistencia de encendido)
Voltaje de compuerta-umbral (Vgs-th): 2-4 V
Encapsulado: TO-220
Potencia máxima disipada: 74 W
Temperatura de operación: -55 °C a 150 °C
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
