Descripción:
El IRF630 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación. Es ideal para controlar cargas de alta potencia debido a su alta eficiencia y bajo calor disipado. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en disipadores de calor para un mejor rendimiento térmico.
Características:
Tipo: Canal N
Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): 200 V
Corriente máxima de drenaje (Id): 9 A
Rds(on): 0.4 Ω (resistencia de encendido)
Voltaje de compuerta-umbral (Vgs-th): 2-4 V
Encapsulado: TO-220
Potencia máxima disipada: 74 W
Temperatura de operación: -55 °C a 150 °C
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor NPN BC547 TO-92
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Terminal para cable AWG 22-16 (rojo), 16-14 (azul) y 12-10 (amarillo) hembra y macho para empalme rápido (3 pares).
Escoger un tipo:
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Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
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Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
