Descripción:
El IRF630 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación. Es ideal para controlar cargas de alta potencia debido a su alta eficiencia y bajo calor disipado. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en disipadores de calor para un mejor rendimiento térmico.
Características:
Tipo: Canal N
Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): 200 V
Corriente máxima de drenaje (Id): 9 A
Rds(on): 0.4 Ω (resistencia de encendido)
Voltaje de compuerta-umbral (Vgs-th): 2-4 V
Encapsulado: TO-220
Potencia máxima disipada: 74 W
Temperatura de operación: -55 °C a 150 °C
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
