Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220

Descripción: 

El IRF630 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación. Es ideal para controlar cargas de alta potencia debido a su alta eficiencia y bajo calor disipado. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en disipadores de calor para un mejor rendimiento térmico.

Características: 

 Tipo: Canal N

 Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): 200 V

Corriente máxima de drenaje (Id): 9 A

Rds(on): 0.4 Ω (resistencia de encendido)

Voltaje de compuerta-umbral (Vgs-th): 2-4 V

Encapsulado: TO-220

Potencia máxima disipada: 74 W

Temperatura de operación: -55 °C a 150 °C