Descripción:
El IRF630 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación. Es ideal para controlar cargas de alta potencia debido a su alta eficiencia y bajo calor disipado. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en disipadores de calor para un mejor rendimiento térmico.
Características:
Tipo: Canal N
Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): 200 V
Corriente máxima de drenaje (Id): 9 A
Rds(on): 0.4 Ω (resistencia de encendido)
Voltaje de compuerta-umbral (Vgs-th): 2-4 V
Encapsulado: TO-220
Potencia máxima disipada: 74 W
Temperatura de operación: -55 °C a 150 °C
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
15A 6V-90V Modulador de ancho de pulso PWM Stepless DC Motor Speed Controller
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
