Descripción:
Tipo: NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor: 140 V
Tensión Máxima Colector-Base: 140 V
Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
Disipación de Potencia Máxima: 100 W
Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 180
Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
Encapsulado: TO-3P
Incluye:
1x Transistor C3856
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Panel led digital de 7 segmentos de 8 pulgadas Azul/verde
Trasistor C3855
