Descripción:
IRF9Z34N está diseñado para aplicaciones de alta corriente, con una máxima tensión drenador-fuente de 55V, una corriente de drenador continua de 19A y una máxima disipación de potencia de 56W. El IRF9Z34N está disponible en un encapsulado TO-220, lo que facilita su montaje en una placa de circuito impreso.
Características.
Tensión máxima drenador-fuente: 55 V
Corriente continua de drenador: 19 A
Disipación máxima de potencia: 56 W
Tensión umbral de puerta: -4 V
Resistencia en conducción (encendido): 0.10 Ω
Velocidad de conmutación: Rápida
Clasificación de avalancha: Totalmente clasificado para avalancha
Encapsulado: TO-220
Rango de temperatura de operación: -55 a 175 °C
Incluye:
1x transistor F9Z34N
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Encoder Con ruedas GL2-S400-2ZF-200
Módulo de placa de aislamiento optoacoplador de 8 canales Módulo de disparo de alto nivel 12V
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
transistor F9Z34N
