Descripción:
IRF9Z34N está diseñado para aplicaciones de alta corriente, con una máxima tensión drenador-fuente de 55V, una corriente de drenador continua de 19A y una máxima disipación de potencia de 56W. El IRF9Z34N está disponible en un encapsulado TO-220, lo que facilita su montaje en una placa de circuito impreso.
Características.
Tensión máxima drenador-fuente: 55 V
Corriente continua de drenador: 19 A
Disipación máxima de potencia: 56 W
Tensión umbral de puerta: -4 V
Resistencia en conducción (encendido): 0.10 Ω
Velocidad de conmutación: Rápida
Clasificación de avalancha: Totalmente clasificado para avalancha
Encapsulado: TO-220
Rango de temperatura de operación: -55 a 175 °C
Incluye:
1x transistor F9Z34N
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
transistor F9Z34N
