Descripción:
La mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto, baja resistencia de encendido y rentabilidad. Es ideal para aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de hasta aproximadamente 74 W.
El IRF820 pertenece a una nueva generación de MOSFET de alta tensión que utiliza un mecanismo avanzado de balance de carga para ofrecer un rendimiento excepcional con baja resistencia de encendido y menor carga de compuerta.
Características:
Tipo de producto: MOSFET
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Voltaje de ruptura drenaje-fuente: 500 V
Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Resistencia drenaje-fuente: 1.5 Ω
Voltaje compuerta-fuente: -20 V / +20 V
Rango de temperatura de operación: -65 °C ~ +150 °C
Disipación de potencia: 100 W
Modo de canal: Mejora (Enhancement)
Configuración: Único
Tiempo de caída: 5 ns
Tiempo de subida: 8 ns
Tiempo típico de retraso de encendido: 11.5 ns
Estilo de montaje: Through Hole (a través de agujero)
Encapsulado/Caja: TO-220-3
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
