Descripción:
La mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto, baja resistencia de encendido y rentabilidad. Es ideal para aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de hasta aproximadamente 74 W.
El IRF820 pertenece a una nueva generación de MOSFET de alta tensión que utiliza un mecanismo avanzado de balance de carga para ofrecer un rendimiento excepcional con baja resistencia de encendido y menor carga de compuerta.
Características:
Tipo de producto: MOSFET
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Voltaje de ruptura drenaje-fuente: 500 V
Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Resistencia drenaje-fuente: 1.5 Ω
Voltaje compuerta-fuente: -20 V / +20 V
Rango de temperatura de operación: -65 °C ~ +150 °C
Disipación de potencia: 100 W
Modo de canal: Mejora (Enhancement)
Configuración: Único
Tiempo de caída: 5 ns
Tiempo de subida: 8 ns
Tiempo típico de retraso de encendido: 11.5 ns
Estilo de montaje: Through Hole (a través de agujero)
Encapsulado/Caja: TO-220-3
C15D3 - SPSC7A3
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