Descripción:
La mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto, baja resistencia de encendido y rentabilidad. Es ideal para aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de hasta aproximadamente 74 W.
El IRF820 pertenece a una nueva generación de MOSFET de alta tensión que utiliza un mecanismo avanzado de balance de carga para ofrecer un rendimiento excepcional con baja resistencia de encendido y menor carga de compuerta.
Características:
Tipo de producto: MOSFET
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Voltaje de ruptura drenaje-fuente: 500 V
Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Resistencia drenaje-fuente: 1.5 Ω
Voltaje compuerta-fuente: -20 V / +20 V
Rango de temperatura de operación: -65 °C ~ +150 °C
Disipación de potencia: 100 W
Modo de canal: Mejora (Enhancement)
Configuración: Único
Tiempo de caída: 5 ns
Tiempo de subida: 8 ns
Tiempo típico de retraso de encendido: 11.5 ns
Estilo de montaje: Through Hole (a través de agujero)
Encapsulado/Caja: TO-220-3
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor IRF830 MOSFET Canal N 500V 4.5A TO-220
