Descripción:
Corriente máxima de drenador (Id): 29 A (Amperios)
Voltaje máximo VDSS: 55 V (Voltios)
Resistencia de canal Rdson: 0.040 Ω (Ohmios)
Encapsulado: TO-220 (Un tipo de encapsulado físico para componentes electrónicos)
Tensión Máxima de Drenador a Fuente (Vds): 55V. Esto significa que puede soportar hasta 55 voltios entre el drenador y la fuente cuando está completamente encendido.
Corriente Máxima de Drenador Continua (Id): 29A. Puede manejar corrientes de hasta 29 amperios en operación continua.
Resistencia del Canal Encendido (Rds(on)): 0.040 Ω. Esta es la resistencia que presenta el MOSFET cuando está completamente encendido.
Encapsulado: TO-220. Este es un tipo común de encapsulado para dispositivos electrónicos, que permite una fácil instalación y disipación de calor.
Incluye:
1x Transistor IRFZ34N
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Para pruebas fáciles de partes pequeñas
Mini convertidor adaptador USB a DIP para placa PCB de 2,54 mm
Cable micro USB de alta velocidad 2.0 A macho a micro B Sincronización de carga Línea de transferencia de datos 1M
Placa para modulo GSM LTE SIM7600SA
Conector de Audio RCA 2 RCA a xh2.54 mm, placa de conexión de 3.5mm, Conector RCA
Transistor IRFZ34N
