Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P

Descripción: 

Es un (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) diseñado para controlar corrientes y tensiones elevadas en aplicaciones de conmutación, como fuentes de alimentación, inversores y cocinas de inducción. Combina la facilidad de control de un MOSFET con la alta capacidad de corriente de un transistor bipolar, permitiendo un funcionamiento eficiente en circuitos de alta potencia. Soporta hasta 1350 V y 20 A, con baja caída de voltaje y un diodo interno que facilita la conducción inversa, mejorando su rendimiento en conmutaciones rápidas. Su encapsulado TO-3P (TO-247) ofrece buena disipación térmica y robustez, lo que lo hace ideal para aplicaciones industriales y electrónicas donde se requiere alta eficiencia y fiabilidad.

Características: 

Tipo: Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Corriente máxima de colector: 20 A (a 100 °C)

Tensión máxima colector-emisor: 1350 V

Caída de tensión V_CE(sat): ≈ 1.6 V (a 25 °C, IC = 20 A, V_GE = 15 V)

Temperatura máxima de operación (T_j): 175 °C

Resistencia térmica unión-carcasa: ≈ 0.48 K/W

Diodo interno de cuerpo: Sí, integrado para conducción inversa

Encapsulado: TO-3P / TO-247

Tecnología: TRENCHSTOP™ de Infineon

Cumple con normativa RoHS (libre de plomo)

Aplicaciones típicas: inversores, cocinas de inducción, fuentes conmutadas y convertidores resonantes