Descripción:
El NJW0302G es un transistor de potencia bipolar PNP complementario con linealidad de ganancia superior y rendimiento de área de operación segura. Este transistor es ideal para etapas de salida de amplificador de audio de alta fidelidad y otras aplicaciones lineales.
Complementa al NJW0281G
Área de operación segura excepcional
Compensación de ganancia por debajo del 10% de 50mA a 3A
Excelente linealidad de ganancia
Alta BVCEO
Alta Frecuencia
Rendimiento fiable a potencias elevadas
Reproducción precisa de señal de entrada
Rango dinámico superior
Alto ancho de banda de amplificador
Características:
Polaridad de Transistor: PNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 250V
Corriente de Colector DC: 15A
Disipación de Potencia Pd: 150W
Encapsulado del Transistor: TO-3P
Montaje de Transistor: Orificio Pasante
Número de Pines: 3Pines
Frecuencia de Transición ft: 30MHz
Ganancia de Corriente DC hFE: 75hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 150°C
Incluye:
1 x Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor Darlington NPN de 7 elementos ULN2004AN
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
