Descripción:
El NJW0302G es un transistor de potencia bipolar PNP complementario con linealidad de ganancia superior y rendimiento de área de operación segura. Este transistor es ideal para etapas de salida de amplificador de audio de alta fidelidad y otras aplicaciones lineales.
Complementa al NJW0281G
Área de operación segura excepcional
Compensación de ganancia por debajo del 10% de 50mA a 3A
Excelente linealidad de ganancia
Alta BVCEO
Alta Frecuencia
Rendimiento fiable a potencias elevadas
Reproducción precisa de señal de entrada
Rango dinámico superior
Alto ancho de banda de amplificador
Características:
Polaridad de Transistor: PNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 250V
Corriente de Colector DC: 15A
Disipación de Potencia Pd: 150W
Encapsulado del Transistor: TO-3P
Montaje de Transistor: Orificio Pasante
Número de Pines: 3Pines
Frecuencia de Transición ft: 30MHz
Ganancia de Corriente DC hFE: 75hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 150°C
Incluye:
1 x Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
