Transistor de Potencia IGBT G50N60 600V 50A (TO-3PL)
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Transistor de Potencia IGBT G50N60 600V 50A (TO-3PL)

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Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)

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Este transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) presenta una construcción de trinchera robusta y rentable, y proporciona un rendimiento superior en aplicaciones de conmutación exigentes, ofreciendo tanto voltaje de estado bajo como pérdida de conmutación mínima.

Características

• Optimizado para VCEsat muy bajo

• La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de energía del sistema

• Capacidad de cortocircuito de 5 s

• Estos son dispositivos libres de Pb

Aplicaciones Típicas

• Inversores solares

• Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS)

• Accionamientos de motor

C6B2 / BE4L3C2 SPSC2C5
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