Descripción:
El 75NF75 es un transistor MOSFET de canal N de potencia diseñado para manejar altas corrientes y tensiones. Es ideal para aplicaciones en control de motores, fuentes de alimentación conmutadas, inversores y sistemas electrónicos de potencia. Su diseño permite una alta eficiencia energética y excelente capacidad de conmutación.
Características:
Tensión de drenaje-fuente (Vds): Hasta 75 V.
Corriente de drenaje (Id): Máximo de 75 A, ideal para manejar cargas de alta corriente.
Resistencia en conducción (Rds(on)): Baja resistencia de 0.0095 ohmios, lo que minimiza las pérdidas de potencia.
Tensión de compuerta-fuente (Vgs): Rango de -20 V a +20 V.
Velocidad de conmutación: Alta velocidad de encendido y apagado, adecuada para aplicaciones de alta frecuencia.
Encapsulado: TO-220, que facilita la disipación térmica y su montaje en disipadores.
Temperatura de operación: Rango de -55 °C a 175 °C, soportando condiciones extremas.
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
