Polaridad de transistor: PNP
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 480 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
Empaquetado / Estuche: TO-3PN
Complementario a C5198
Incluye:
1 x Transistor de Potencia A1941 160V 10A (TO-3PN)
Referencias específicas
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor Darlington NPN de 7 elementos ULN2004AN
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Escoger 1 valor
Fusible 250 V, 0,1 A, 0,25 A, 0,2 A, 0,5 A, 1 A, 1,5 A, 2A, 3A, 4A, 5A, 8A, 10A, 12A, 15A, 20A, 15A, 20A
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
30 ml/ 1 onzas KESTER 951 Sin soldadura y de soldadura limpia.
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
