Descripción:
El IRF840PBF-BE3 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta corriente. Este tipo de dispositivo se utiliza ampliamente en fuentes de alimentación conmutadas, controladores de motores, inversores y otras aplicaciones que requieren manejar altos voltajes y corrientes.
Características:
Tipo: MOSFET de canal N
Voltaje de drenaje-fuente (Vds): 500V
Corriente de drenaje (Id): 8A
Resistencia de encendido (Rds(on)): 0.85 ohmios
Disipación de potencia: 125W
Tipo de encapsulado: TO-220AB
Temperatura de operación: -55°C a +150°C
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
MOSFET IRF840PBF-BE3 500v 8A
