Descripción:
El IRF840PBF-BE3 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta corriente. Este tipo de dispositivo se utiliza ampliamente en fuentes de alimentación conmutadas, controladores de motores, inversores y otras aplicaciones que requieren manejar altos voltajes y corrientes.
Características:
Tipo: MOSFET de canal N
Voltaje de drenaje-fuente (Vds): 500V
Corriente de drenaje (Id): 8A
Resistencia de encendido (Rds(on)): 0.85 ohmios
Disipación de potencia: 125W
Tipo de encapsulado: TO-220AB
Temperatura de operación: -55°C a +150°C
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Semiconductor transistor 2SC3858
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Semiconductor transistor 2SA1494
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
capacitores Ceramicos 630V ( elegir dos valores) entre 0.007uf y 0.47uf
Capacitores electroliticos de 2200uf, 3300uf, 4700uf o 10000uf 1 valor (1 unidad)
Diodos de señal de conmutación rápida 1N4148
NE555P IC 555 TEXAS INSTRUMENTS DIP-8 Timer Chip NE555
Base para circuito integrado DIP 2.54mm Socket pines
Resistencias de Filamento de Carbon 1/4W (10 Unidades)
Escoger un valor:
Condensador electrolítico 0.1-1000uF
Paquete de 5 Capacitor 1 valor
Transistor de potencia epitaxial de silicio TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Transistores Darlington TIP
MOSFET IRF840PBF-BE3 500v 8A
