Descripción:
El IRF840PBF-BE3 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta corriente. Este tipo de dispositivo se utiliza ampliamente en fuentes de alimentación conmutadas, controladores de motores, inversores y otras aplicaciones que requieren manejar altos voltajes y corrientes.
Características:
Tipo: MOSFET de canal N
Voltaje de drenaje-fuente (Vds): 500V
Corriente de drenaje (Id): 8A
Resistencia de encendido (Rds(on)): 0.85 ohmios
Disipación de potencia: 125W
Tipo de encapsulado: TO-220AB
Temperatura de operación: -55°C a +150°C
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Semiconductor transistor 2SA1494
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor de Potencia A1491 200V 10A 100W
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor de potencia epitaxial de silicio TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Transistores Darlington TIP
Botón de apertura electrónica de la puerta DC12V acero inoxidable
interruptor eléctrico conmutador kcd1-101 2 pin AC 250v 6A
MOSFET IRF840PBF-BE3 500v 8A
