Descripcion:
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rapida velocidad de conmutación y diseño de dispositivo reforzado
Los MOSFET son bien conocidos por proporcionar al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
Caracteristicas:
Tecnología de proceso avanzada
Clasificación dinámica dv / dt
175 ° C Temperatura de funcionamiento
Cambio rápido
Totalmente clasificado como avalancha
Facilidad de paralelismo
Requisitos de unidad simples
Especificaciones:
Clasificación dinámica dv / dt
175 ° C Temperatura de funcionamiento
Cambio rápido
Totalmente clasificado como avalancha
Facilidad de paralelismo
Requisitos de unidad simples
Sin plomo
Especificaciones:
Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-247-3
Polaridad del transistor: canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 200 V
Id - Corriente de drenaje continua: 50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 40 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
Qg - Carga de puerta: 156 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Dp - Disipación de potencia: 300 W
Modo canal: mejora
Empaquetado: Tube
Configuración: Single
Altura: 20,7 mm
Longitud: 15,87 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Ancho: 5,31 mm
Marca: Infineon / IR
Transconductancia hacia delante - Mín .: 27 S
Tiempo de caída: 48 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 60 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 400
Subcategoría: MOSFETs
Tiempo de retardo de apagado típico: 55 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns
Peso de la unidad: 38 g
Contenido:
1 x Transistor MOSFET IRFP260NPBF (TO)
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
Transistor NPN C9014 45V 150 mAh TO-92
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Reguladores de voltaje L7805 - LM317
Amplificador de audio TDA8954 SMD
Flux en Pasta BAKU BK-150 63/37 150g
Pasta Térmica Disipadora de Calor 02-SIL302
Proyecto hazlo tu mismo de Mini bobina Tesla de 15W de potencia, rango de funcionamiento 15-24 VDC 2A.
*Nota: No utilizar con celular.
Módulo de la fuente de alimentación del módulo de la placa de la calefacción de la inducción de 5v-12v
GBU608 Rectificador de puente pasivado de vidrio Monofásico 6A 800V LW
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
