Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
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Especificaciones:

Categoria de producto: MOSFET

Tecnología: Si

Estilo de montaje: Agujero pasante

Paquete / Cubierta: TO-220-3

Polaridad del transistor: P-Channel

Número de canales: 1 Canal

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 55 V

Id - Corriente de drenaje continuo: 31 A

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 60 mOhms

Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V

Qg - Carga de puerta: 42 nC

Temperatura de trabajo mínima: - 55 C

Temperatura máxima de trabajo: + 175 C

Dp - Disipación de potencia : 110 W

Modo canal: mejora

Marca: Infineon / IR

Configuración: Individual

Tiempo de caída: 63 ns

Altura: 15,65 mm

Longitud: 10 mm

Tipo de producto: MOSFET

Tiempo de subida: 66 ns

Subcategoría: MOSFET

Tipo de transistor: 1 canal P

Tiempo de retardo de apagado típico: 39 ns

Tiempo típico de demora de encendido: 14 ns

Ancho: 4,4 mm

Peso de la unidad: 2 g

C6B5 SPSC1G9
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Referencias específicas

isbn
0003288
upc
0003288
ean13
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