Especificaciones:
Categoria de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Agujero pasante
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: P-Channel
Número de canales: 1 Canal
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 55 V
Id - Corriente de drenaje continuo: 31 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 60 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Qg - Carga de puerta: 42 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura máxima de trabajo: + 175 C
Dp - Disipación de potencia : 110 W
Modo canal: mejora
Marca: Infineon / IR
Configuración: Individual
Tiempo de caída: 63 ns
Altura: 15,65 mm
Longitud: 10 mm
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 66 ns
Subcategoría: MOSFET
Tipo de transistor: 1 canal P
Tiempo de retardo de apagado típico: 39 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 14 ns
Ancho: 4,4 mm
Peso de la unidad: 2 g
Referencias específicas
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Semiconductor transistor 2SA1494
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Cautin de soldadura regulable BAKU BA-464 60W
Estaño Baku 100g 0.2 mm/0.8mm
Escoger un tamaño:
Convertidor de Voltaje AC/DC TNY280PN (DIP)
Pasta Térmica Disipadora de Calor TGP-20G Blanca 20g
Proyecto hazlo tu mismo de Mini bobina Tesla de 15W de potencia, rango de funcionamiento 15-24 VDC 2A.
*Nota: No utilizar con celular.
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Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
