Especificaciones:
Categoria de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Agujero pasante
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: P-Channel
Número de canales: 1 Canal
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 55 V
Id - Corriente de drenaje continuo: 31 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 60 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Qg - Carga de puerta: 42 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura máxima de trabajo: + 175 C
Dp - Disipación de potencia : 110 W
Modo canal: mejora
Marca: Infineon / IR
Configuración: Individual
Tiempo de caída: 63 ns
Altura: 15,65 mm
Longitud: 10 mm
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 66 ns
Subcategoría: MOSFET
Tipo de transistor: 1 canal P
Tiempo de retardo de apagado típico: 39 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 14 ns
Ancho: 4,4 mm
Peso de la unidad: 2 g
Referencias específicas
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Módulo de conmutador MOSFET de 4 canales IRF540
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Transistor MOSFET IRF740PBF
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Cautin de soldadura regulable BAKU BA-464 60W
Sonda de temperatura termocupla tipo K M6 2000mm 0-600 grados
Turbina de Pelton agua Turbina, Aluminio, Micro o Pico Hydro Generador 8 pulgadas de diametro.
Convertidor reductor de 4K a 1080 HDMI a BNC 2 salidas
Kit detector de filamento para impresora 3D Creality para Ender-3 V3 SE KE
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
