Descripción:
Es un MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de canal N, capaz de manejar hasta 600 voltios y una corriente de hasta 1 amperio. Se utiliza comúnmente en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), balastos electrónicos, convertidores DC-DC y otras aplicaciones de conmutación de potencia.
Características:
Tipo de dispositivo: MOSFET canal N
Voltaje drenador-fuente (VDS): 600 V
Corriente de drenaje continua (ID): 1 A
Voltaje compuerta-fuente (VGS): +/-30 V
Potencia de disipación (PD): 2 W (aprox.)
Tiempo de subida / bajada: 50 ns / 40 ns
Encapsulado: TO-92
Estilo de montaje: THT (orificio pasante)
Rango de temperatura operación: -55 °C a +150 °C
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Kit de Ciencia STEM para niños 30 Experimentos Educativos
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
