Descripción:
Es un MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de canal N, capaz de manejar hasta 600 voltios y una corriente de hasta 1 amperio. Se utiliza comúnmente en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), balastos electrónicos, convertidores DC-DC y otras aplicaciones de conmutación de potencia.
Características:
Tipo de dispositivo: MOSFET canal N
Voltaje drenador-fuente (VDS): 600 V
Corriente de drenaje continua (ID): 1 A
Voltaje compuerta-fuente (VGS): +/-30 V
Potencia de disipación (PD): 2 W (aprox.)
Tiempo de subida / bajada: 50 ns / 40 ns
Encapsulado: TO-92
Estilo de montaje: THT (orificio pasante)
Rango de temperatura operación: -55 °C a +150 °C
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
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Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
