Descripción:
Es un MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de canal N, capaz de manejar hasta 600 voltios y una corriente de hasta 1 amperio. Se utiliza comúnmente en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), balastos electrónicos, convertidores DC-DC y otras aplicaciones de conmutación de potencia.
Características:
Tipo de dispositivo: MOSFET canal N
Voltaje drenador-fuente (VDS): 600 V
Corriente de drenaje continua (ID): 1 A
Voltaje compuerta-fuente (VGS): +/-30 V
Potencia de disipación (PD): 2 W (aprox.)
Tiempo de subida / bajada: 50 ns / 40 ns
Encapsulado: TO-92
Estilo de montaje: THT (orificio pasante)
Rango de temperatura operación: -55 °C a +150 °C
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Enchufe Cargador de Coche Dual USB 12V-24V
Modulo regulador VGL/VGH para reparacion de LCD v869k
Modulo de Expansion de Sensores comparible con Arduino Nano
Transistor Mosfet canal N CS1N60C1H 600V 1A
