Descripción:
Es un transistor MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia. Este tipo de transistor se utiliza en una amplia variedad de circuitos, como reguladores de voltaje, convertidores de potencia, controladores de motores y otras aplicaciones electrónicas.
Características:
Tipo: MOSFET de canal P.
Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): -100V.
Corriente máxima de drenaje (Id): -19A (con una temperatura de 25 °C).
Potencia máxima disipada (Pd): 150W.
Voltaje de compuerta (Vgs): Hasta ±20V.
Resistencia en estado de encendido (Rds(on)): 0.2 Ω (máximo, típico a Vgs = -10V).
Encapsulado: TO-220, ideal para montaje en PCB con disipadores de calor.
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor de potencia IRFP064NPBF
Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH N 60V 55A
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Semiconductor transistor 2SA1494
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
HEF4069UBP DIP-14 HEF4069BP HEF4069 CD4069BE Inversor hexagonal
Conmutador de código de marcado directo 4, 6, 8 o 10 posiciones.
Escoger un tipo:
3V-12V pequeño mini 370 bomba de aire del motor Bomba de oxígeno acuario
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Condensador electrolítico 0.1-1000uF
Paquete de 5 Capacitor 1 valor
Protoboard Soldable 12x18cm, placa soldable
NE555P IC 555 TEXAS INSTRUMENTS DIP-8 Timer Chip NE555
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
