Descripción:
Es un transistor MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia. Este tipo de transistor se utiliza en una amplia variedad de circuitos, como reguladores de voltaje, convertidores de potencia, controladores de motores y otras aplicaciones electrónicas.
Características:
Tipo: MOSFET de canal P.
Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): -100V.
Corriente máxima de drenaje (Id): -19A (con una temperatura de 25 °C).
Potencia máxima disipada (Pd): 150W.
Voltaje de compuerta (Vgs): Hasta ±20V.
Resistencia en estado de encendido (Rds(on)): 0.2 Ω (máximo, típico a Vgs = -10V).
Encapsulado: TO-220, ideal para montaje en PCB con disipadores de calor.
C15E3 - SPSC7A6
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