Número de Parte: FQP30N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total de potencia (Pd): 79 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V
Corriente continua de drenaje (Id): 30 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 19 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
Incluye:
1x Transistor Mosfet de potencia FQP30N06L
C1E5 SPSC3B5
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