Número de Parte: FQP30N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total de potencia (Pd): 79 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V
Corriente continua de drenaje (Id): 30 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 19 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
Incluye:
1x Transistor Mosfet de potencia FQP30N06L
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistor regulador lineal ajustable TL431AA TO92
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor de Potencia 2SC5200 NPN 230V 15A (TO-3P)
Transistor lineal ajustable TL431AC SMD
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