Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistores IGBT
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Paquete / Cubierta: TO-247-3
Estilo de montaje: Through Hole
Configuración: Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 650 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 1.8 V
Máximo voltaje puerta-emisor: 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C: 80 A
Dp - Disipación de potencia : 283 W
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Serie: STGW40H65DFB
Máx. corriente continua Ic del colector: 40 A
Corriente de fuga puerta emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 8 g
Contenido:
1 x Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Transistor de Potencia MOSFET CH-N 250V 44A TO-247
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor Darlington NPN de 7 elementos ULN2004AN
Transistor de Potencia IGBT G50N60 50A/600V (TO-3PL)
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor IRF50N06 TO-220 60V 50A
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Transistor IRF3205 Mosfet Canal N 55V 110A
Triac BTA12-600B 600V 12A (TO)
Terminal tipo clip para fusible en pcb 5x20mm y 6x30mm
Triac Q6030LH5 600V 30A (TO)
1 W vatios Resistencia de película de carbono 1W 5%
Resistencia Filamento de Carbón, Elige un set de 10 unidades
Fusible Cerámicos 0.5-30A 250V 6x30mm
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
