Descripcion:
El IRFP250N es un transistor de potencia de efecto de campo (MOSFET) de canal N diseñado con tecnología avanzada de compuerta para ofrecer una resistencia en encendido extremadamente baja por área de silicio. Encapsulado en un formato robusto TO-247AC, este componente proporciona una excelente disipación térmica, alta velocidad de conmutación y gran confiabilidad, lo que lo convierte en la opción ideal para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y sistemas de control de potencia industrial.
Caracteristicas:
Polaridad del Transistor: Canal N (N-Channel).
Voltaje Máximo Drenaje-Fuente (Vdss): 200V.
Corriente Continua de Drenaje (Id): 30A (a una temperatura de carcasa de 25°C).
Resistencia Máxima en Encendido Drenaje-Fuente (Rds On): 0.075 Ohmios (75 mΩ).
Disipación de Potencia Máxima (Pd): 214W (a 25°C).
Voltaje de Umbral de la Compuerta (Vgs th): 2.0V a 4.0V.
Carga de Compuerta Total (Qg): 123 nC (máxima).
Transistor de Potencia Toshiba A1941 PNP 160V 10A (TO-3PN)
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Transistor de potencia FQP30N06L / TO-220
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Caja de transistores NPN, PNP 300 unidades 15 valores
Transistor MOSFET IRF1404 CH-N 40V 162A 200W (TO-220)
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor Mosfet Canal N 75nf75 75V 75A
Transistor MOSFET Canal P IRF5305 55V 31A (TO-220AB)
Transistor MOSFET IRFP250N
