Descripcion:
El IRFP250N es un transistor de potencia de efecto de campo (MOSFET) de canal N diseñado con tecnología avanzada de compuerta para ofrecer una resistencia en encendido extremadamente baja por área de silicio. Encapsulado en un formato robusto TO-247AC, este componente proporciona una excelente disipación térmica, alta velocidad de conmutación y gran confiabilidad, lo que lo convierte en la opción ideal para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y sistemas de control de potencia industrial.
Caracteristicas:
Polaridad del Transistor: Canal N (N-Channel).
Voltaje Máximo Drenaje-Fuente (Vdss): 200V.
Corriente Continua de Drenaje (Id): 30A (a una temperatura de carcasa de 25°C).
Resistencia Máxima en Encendido Drenaje-Fuente (Rds On): 0.075 Ohmios (75 mΩ).
Disipación de Potencia Máxima (Pd): 214W (a 25°C).
Voltaje de Umbral de la Compuerta (Vgs th): 2.0V a 4.0V.
Carga de Compuerta Total (Qg): 123 nC (máxima).
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor de potencia epíaxial de silicona TIP31C TIP32C TIP41C TIP42C TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127 Darlington Transistores serie TIP de 10 valores, 50 unidades
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
TO220 Power MOS FET IRFZ44N, Corriente: 49A, Voltaje: 55V
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Transistor 2N3055 15A 100V 115W NPN
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Triodo del transistor del fototransistor del silicio NPN del paquete del metal 3DU5C
Demultiplexor / decodificador SN74LS138N DIP16
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor MOSFET IRFP250N
