Especificaciones:
Corriente de Colector DC: 200A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 600V
Temperatura de Union, Tj Máx.: 150°C
Terminación del IGBT: Perno
Núm. de Contactos: 7Pines
Características
• Canal N, estructura de silicio homogénea (NPT- IGBT sin perforación)
• Baja corriente de cola con baja dependencia de temperatura
• Alta capacidad de corto circuito, autolimitado si term. G está sujeto a E
• pos. coef.temp. de VCEsat
• 50 % menos pérdidas por apagado 9)
• 30 % menos de corriente de cortocircuito 9)
• Muy bajo Cies, Coes, Cres 9)
• Sin pestillos
• Diodos CAL inversos rápidos y suaves 8)
• Placa base de cobre aislada con tecnología DCB Direct Copper Bonding sin molde duro
• Gran espacio libre (13 mm) y distancias de fuga (20 mm)
Incluye:
1 x Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063D 1200V 300A
Referencias específicas
El 2N4402 es un transistor PNP de silicio, diseñado para su uso en amplificador de audio y aplicaciones de conmutación. Voltaje colector-emisor a 80V y disipación de potencia a 625mW.
Transistor Darlington NPN de 7 elementos ULN2004AN
Transistor Mosfet Canal N IRF630 200V 9A TO-220
Transistor Mosfet RFP50N06 TO220 CH N 60V 50A
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Interruptor MOSFET de 20A y 50A PWM
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Transistor de potencia Mosfet IXTQ50N20P TO-3P 200V 50A
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Semiconductor transistor 2SC3858
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
