Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A
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Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063-D 600V 200A

L7,800.00
Impuestos incluidos

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Especificaciones:

Corriente de Colector DC: 200A

Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 600V

Temperatura de Union, Tj Máx.: 150°C

Terminación del IGBT: Perno

Núm. de Contactos: 7Pines

Características

• Canal N, estructura de silicio homogénea (NPT- IGBT sin perforación)

• Baja corriente de cola con baja dependencia de temperatura

• Alta capacidad de corto circuito, autolimitado si term. G está sujeto a E

• pos. coef.temp. de VCEsat

• 50 % menos pérdidas por apagado 9)

• 30 % menos de corriente de cortocircuito 9)

• Muy bajo Cies, Coes, Cres 9)

• Sin pestillos

• Diodos CAL inversos rápidos y suaves 8)

• Placa base de cobre aislada con tecnología DCB Direct Copper Bonding sin molde duro

• Gran espacio libre (13 mm) y distancias de fuga (20 mm)

Incluye:

1 x Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia SKM-200-GAL-063D 1200V 300A

EF2L1C1 SPSE8L2
1 Artículo

Referencias específicas

isbn
0003112
upc
0003112
ean13
0003112
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