MOSFET, N, 100V, 33A, TO-220
Polaridad del transistor: Canal N
ID de corriente de drenaje continuo: 33A
Voltaje de fuente de drenaje Vds: 100V
En resistencia Rds (encendido): 44 mohm
Rds(on) Voltaje de prueba Vgs: 10V
Voltaje de umbral Vgs Tipo: 4V
Estilo de caja de transistores: TO-220AB
N.º de Pines: 3
Corriente, ID máx.: 33A
Temperatura actual: 25°C
Marcador: IRF540N
Temperatura máxima de potencia nominal: 25 °C
Unión a la resistencia térmica de la carcasa A: 1,1 °C/W
Espaciado de plomo: 2,54 mm
N.º de Transistores: 1
Disipación de potencia Pd: 94W
Disipación de potencia Pd: 94W
Idm de corriente de pulso: 110A
Voltaje Vds Tipo: 100V
Voltaje Vgs Max: 4V
Voltaje Vgs Rds en Medida: 10V
Incluye:
1 x
Referencias específicas
Transistor STGW40H65DFB TO-247 40A 650V IGBT
Sensor de radiacion infrarrojo termopila MLX90247
Transistor BD140 80V 1.5A PNP (SOT-32)
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor MOSFET IRF740PBF
Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Capacitor Ceramico SMD 0603
Escoger un valor:
Transistor de potencia Mosfet FHA86N30 300V 86A (TO-247)
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines).
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