MOSFET, N, 100V, 33A, TO-220
Polaridad del transistor: Canal N
ID de corriente de drenaje continuo: 33A
Voltaje de fuente de drenaje Vds: 100V
En resistencia Rds (encendido): 44 mohm
Rds(on) Voltaje de prueba Vgs: 10V
Voltaje de umbral Vgs Tipo: 4V
Estilo de caja de transistores: TO-220AB
N.º de Pines: 3
Corriente, ID máx.: 33A
Temperatura actual: 25°C
Marcador: IRF540N
Temperatura máxima de potencia nominal: 25 °C
Unión a la resistencia térmica de la carcasa A: 1,1 °C/W
Espaciado de plomo: 2,54 mm
N.º de Transistores: 1
Disipación de potencia Pd: 94W
Disipación de potencia Pd: 94W
Idm de corriente de pulso: 110A
Voltaje Vds Tipo: 100V
Voltaje Vgs Max: 4V
Voltaje Vgs Rds en Medida: 10V
Incluye:
1 x
Referencias específicas
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Orificio Pasante
Transistor de Potencia NPN C3895 1500V 7A (TO-3PML)
Transistor de unión bipolar (BJT) DIP SS8050 TO-92
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
Transistor NPN BC547 TO-92
Transistor de potencia IRFP064NPBF
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia EVL31-050 600V 50A
IC de fotodiodo de silicio de PIN de fotodiodo de PIN-Silizium BPX65
Transistor de Potencia 2SA1943 PNP (TO-3P)
Transistor de Potencia NPN C3894 1500V 6A (TO-3PML)
Transistor IRF820 MOSFET Canal N 500V 2.5A TO-220
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Kit de Puntas de Repuesto 3 en 1 para Cautin Baku BK-9033
Diodos de señal de conmutación rápida 1N4148
Bipolar Transistores de señal A-92 NPN PN
Paquete de 5 Transistores 1 valor
Set de 5 capacitores ceramicos menores a 25V 1 valor (5U)
Resistencias de Filamento de Carbón 3W 1% 1 Valor (5 Unidades)
Transistor MOSFET Canal N IRF540N 100V 33A (TO-220)
