Descripción:
Tipo de Transistor: N-Channel (Canal-N), lo que significa que conduce corriente cuando se aplica un voltaje positivo entre la puerta y el surtidor (source) con respecto al drenador (drain).
Tensión Máxima de Drenador a Fuente (Vds): 60V. Puede soportar hasta 60 voltios entre el drenador y la fuente cuando está completamente encendido.
Corriente Máxima de Drenador Continua (Id): 50A. Puede manejar corrientes de hasta 50 amperios en operación continua.
Resistencia del Canal Encendido (Rds(on)): 0.028 Ω. Esta es la resistencia que presenta el MOSFET cuando está completamente encendido.
Encapsulado: TO-220. Este es un tipo común de encapsulado para dispositivos electrónicos, que permite una fácil instalación y disipación de calor.
Incluye:
1xTransistor STP55NF06
Transistores de Potencia Mosfet Canal N 2N60-20N60
Transistor de Potencia Toshiba C5198 NPN 160V 10A (TO-3PN)
Transistor IGBT alta velocidad STGW40V60DF 600v 40A
Modulo Transistor IGBT de Alta Potencia 600V 300A DM2G300SH6NE
Transistor IRF9540 Mosfet Canal P 100V 19A - TO220
Transistor BD139 80V 1.5A NPN (SOT-32)
Transistor de potencia H20R1353, IGBT, 20A, 1350V, TO-3P
Fotodiodo de silicio BPW34 DIP-2
Transistor MOSFET Canal P IRF9Z34N 55V 17A
Kit de transistores NPN y PNP, 17 valores 170 unidades.
Transistor IRF530 Mosfet Canal N 100V 14A TO-220
Transistor IGBT CN 300V 70A TO-247 IRGP4086
Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)
Transistor de Unión Bipolar Unico NJW0302G PNP 250V 15A 150W TO-3P
Transistor STP55NF06
